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Note per Studenti Formulario · Teoria dei Circuiti

FormularioTeoria dei Circuiti: definizioni, teoremi e formule delle note, in ordine di capitolo

In questa pagina 14

I. Richiami di elettromagnetismo

Carica e corrente elettrica

Definizione (intensità di corrente ii: Δq\Delta q è la carica netta che attraversa SS nel tempo Δt\Delta t). i(t)=lim⁡Δt→0ΔqΔt=dqdti(t) = \lim_{\Delta t \to 0} \frac{\Delta q}{\Delta t} = \frac{dq}{dt}

Esempio. Se attraverso una sezione di un filo passano Δq=6 C\Delta q = 6\ \mathrm C netti in Δt=2 s\Delta t = 2\ \mathrm s, la corrente è i=62=3 Ai = \frac{6}{2} = 3\ \mathrm A.

Formula (densità di corrente: ρc±\rho_c^\pm sono le densità delle cariche positive e negative, vρ±\mathbf v_{\rho^\pm} le loro velocità). J(P,t)=ρc+ vρ++ρc− vρ−[A/m2]\mathbf J(P,t) = \rho_c^+ \, \mathbf v_{\rho^+} + \rho_c^- \, \mathbf v_{\rho^-} \qquad [\mathrm{A/m^2}]

Esempio. Nel rame gli ioni sono fermi e gli elettroni hanno ρc−≈−1,36⋅1010 C/m3\rho_c^- \approx -1{,}36 \cdot 10^{10}\ \mathrm{C/m^3}; se si muovono a 10−4 m/s10^{-4}\ \mathrm{m/s} si ha ∣J∣=1,36⋅1010⋅10−4=1,36⋅106 A/m2|\mathbf J| = 1{,}36 \cdot 10^{10} \cdot 10^{-4} = 1{,}36 \cdot 10^{6}\ \mathrm{A/m^2}.

Formula (corrente come flusso di J\mathbf J). Per una superficie SS ferma rispetto all'osservatore:

i(t)=∫SJ⋅n dSi(t) = \int_S \mathbf J \cdot \mathbf n \, dS

Esempio. Se J\mathbf J è uniforme, perpendicolare a una superficie di area S=1,5⋅10−6 m2S = 1{,}5 \cdot 10^{-6}\ \mathrm{m^2} e vale 2⋅106 A/m22 \cdot 10^{6}\ \mathrm{A/m^2}, allora i=J S=2⋅106⋅1,5⋅10−6=3 Ai = J\,S = 2 \cdot 10^{6} \cdot 1{,}5 \cdot 10^{-6} = 3\ \mathrm A.

Legge di continuità.  iusc(t)=−dqint(t)dt \boxed{\,i_{usc}(t) = -\frac{d q_{int}(t)}{dt}\,}

La corrente totale uscente da una superficie chiusa è l'opposto della derivata della carica contenuta al suo interno.

Esempio (lezione 2). All'istante t1t_1 dentro ScS_c ci sono qint(t1)=10 Cq_{int}(t_1) = 10\ \mathrm C, all'istante t2t_2 ce ne sono 8 C8\ \mathrm C. Allora Δqint=8−10=−2 C\Delta q_{int} = 8 - 10 = -2\ \mathrm C: nel frattempo 2 C2\ \mathrm C sono usciti attraverso ScS_c. Se questo è avvenuto in Δt=4 s\Delta t = 4\ \mathrm s a ritmo costante, la corrente uscente è stata iusc=24=0,5 Ai_{usc} = \frac{2}{4} = 0{,}5\ \mathrm A, e infatti −ΔqintΔt=−−24=0,5 A-\frac{\Delta q_{int}}{\Delta t} = -\frac{-2}{4} = 0{,}5\ \mathrm A.

Proprietà (regime stazionario). In regime stazionario tutte le grandezze sono costanti nel tempo, quindi anche qintq_{int} è costante e dqintdt=0\frac{dq_{int}}{dt} = 0. La legge di continuità diventa

iusc=∮ScJ⋅n dS=0i_{usc} = \oint_{S_c} \mathbf J \cdot \mathbf n \, dS = 0

Esempio. In un nodo di un circuito stazionario entrano 5 A5\ \mathrm A e 3 A3\ \mathrm A da due fili: dal terzo filo devono uscire 8 A8\ \mathrm A, perché la corrente totale uscente dalla superficie chiusa che racchiude il nodo è −5−3+8=0-5 - 3 + 8 = 0.

Tensione elettrica e potenziale

Legge di Coulomb (forza su una carica di prova). Una carica qq ferma nel punto QQ esercita su una piccola carica di prova Δq\Delta q posta nel punto PP la forza

ΔFc(P)=14πε q ΔqrQP2 uQP\Delta \mathbf F_c(P) = \frac{1}{4\pi\varepsilon} \, \frac{q \, \Delta q}{r_{QP}^2} \, \mathbf u_{QP}

  • rQPr_{QP} è la distanza tra QQ e PP, uQP\mathbf u_{QP} il versore che va da QQ verso PP: se qq e Δq\Delta q hanno lo stesso segno la forza spinge Δq\Delta q lontano da QQ (repulsione), altrimenti verso QQ.
  • ε\varepsilon è la permittività (o costante dielettrica) del mezzo, che si suppone uniforme: omogeneo (proprietà uguali in ogni punto), lineare (non dipendono dall'intensità del campo), isotropo (non dipendono dalla direzione). Nel vuoto ε=ε0≈8,854⋅10−12 C2/(N m2)\varepsilon = \varepsilon_0 \approx 8{,}854 \cdot 10^{-12}\ \mathrm{C^2/(N\,m^2)}, quindi 14πε0≈9⋅109 N m2/C2\frac{1}{4\pi\varepsilon_0} \approx 9 \cdot 10^9\ \mathrm{N\,m^2/C^2}.

Esempio. Due cariche q=1 nCq = 1\ \mathrm{nC} e Δq=1 nC\Delta q = 1\ \mathrm{nC} nel vuoto a r=10 cmr = 10\ \mathrm{cm} si respingono con F=9⋅109⋅10−9⋅10−90,12=9⋅10−7 NF = 9 \cdot 10^{9} \cdot \frac{10^{-9} \cdot 10^{-9}}{0{,}1^2} = 9 \cdot 10^{-7}\ \mathrm N.

Definizione (campo coulombiano). Ec(P)=lim⁡Δq→0ΔFc(P)Δq=14πε qrQP2 uQP\mathbf E_c(P) = \lim_{\Delta q \to 0} \frac{\Delta \mathbf F_c(P)}{\Delta q} = \frac{1}{4\pi\varepsilon} \, \frac{q}{r_{QP}^2} \, \mathbf u_{QP}

È il campo elettrostatico (o campo coulombiano): una forza per unità di carica. Il limite Δq→0\Delta q \to 0 serve a far sì che la carica di prova non sposti le cariche che generano il campo.

Esempio. Una carica q=1 nC=10−9 Cq = 1\ \mathrm{nC} = 10^{-9}\ \mathrm C nel vuoto, a distanza r=10 cmr = 10\ \mathrm{cm}: Ec=9⋅109⋅10−90,12≈900 V/mE_c = 9 \cdot 10^9 \cdot \frac{10^{-9}}{0{,}1^2} \approx 900\ \mathrm{V/m}.

Proprietà (il campo coulombiano è conservativo). La proprietà fondamentale di Ec\mathbf E_c è che è conservativo: la sua circuitazione lungo qualsiasi linea chiusa ℓ\ell è nulla,

∮ℓEc⋅t dℓ=0\oint_\ell \mathbf E_c \cdot \mathbf t \, d\ell = 0

(t\mathbf t è il versore tangente alla linea, nel verso di percorrenza). Vale qualunque sia la distribuzione delle cariche e qualunque sia il mezzo, anche non uniforme.

Esempio. Su un giro chiuso 1→2→3→11 \to 2 \to 3 \to 1 fuori da un componente, con V12=5 VV_{12} = 5\ \mathrm V e V23=−2 VV_{23} = -2\ \mathrm V, deve essere V31=−(5−2)=−3 VV_{31} = -(5 - 2) = -3\ \mathrm V.

Definizione (potenziale elettrico). Poiché l'integrale non dipende dal percorso, si può definire una funzione scalare del punto, il potenziale elettrico UU, tale che

∫ABEc⋅t dℓ=U(A)−U(B)\int_A^B \mathbf E_c \cdot \mathbf t \, d\ell = U(A) - U(B)

  • UU si misura in volt.
  • È definito a meno di una costante: aggiungendo la stessa costante a UU in tutti i punti, le differenze non cambiano. Per questo nei circuiti si sceglie liberamente un punto a potenziale zero (la "massa" o nodo di riferimento).

Esempio. Se U(A)=10 VU(A) = 10\ \mathrm V e U(B)=4 VU(B) = 4\ \mathrm V, l'integrale di Ec\mathbf E_c da AA a BB vale 10−4=6 V10 - 4 = 6\ \mathrm V per qualunque percorso.

Definizione (tensione elettrica). La tensione elettrica è l'integrale del campo elettrico (quello totale, E\mathbf E, non solo Ec\mathbf E_c) lungo una linea orientata ℓ\ell, aperta o chiusa:

v(t)=∫ℓE(P,t)⋅t dℓ[V]v(t) = \int_\ell \mathbf E(P,t) \cdot \mathbf t \, d\ell \qquad [\mathrm V]

Esempio. Con un campo uniforme E=100 V/mE = 100\ \mathrm{V/m} parallelo a una linea rettilinea lunga ℓ=5 cm\ell = 5\ \mathrm{cm}, percorsa nel verso del campo, v=E ℓ=100⋅0,05=5 Vv = E\,\ell = 100 \cdot 0{,}05 = 5\ \mathrm V.

Formula (tensione come lavoro elettrico per unità di carica). v=∫ℓdFedq⋅t dℓ=ddq∫ℓFe⋅t dℓ=dLedqv = \int_\ell \frac{d\mathbf F_e}{dq} \cdot \mathbf t \, d\ell = \frac{d}{dq} \int_\ell \mathbf F_e \cdot \mathbf t \, d\ell = \frac{d\mathcal L_e}{dq}

La tensione è il lavoro elettrico per unità di carica fatto dalle forze elettriche lungo la linea. Da qui 1 V=1 J/C1\ \mathrm V = 1\ \mathrm{J/C}.

Esempio. Tra due punti c'è una tensione di 12 V12\ \mathrm V. Una carica di 2 C2\ \mathrm C che va dal ++ al −- riceve dalle forze elettriche un lavoro Le=v⋅q=12⋅2=24 J\mathcal L_e = v \cdot q = 12 \cdot 2 = 24\ \mathrm J.

Proprietà (tensione e differenza di potenziale). Se il campo indotto è nullo, E=Ec\mathbf E = \mathbf E_c (per esempio in regime stazionario), allora

VAB=∫ABEc⋅t dℓ=U(A)−U(B)V_{AB} = \int_A^B \mathbf E_c \cdot \mathbf t \, d\ell = U(A) - U(B)

e la tensione è una differenza di potenziale: dipende solo dagli estremi. In questo caso, se il percorso è chiuso (A=BA = B), la tensione è nulla.

Esempio. In regime stazionario, con U(A)=8 VU(A) = 8\ \mathrm V e U(B)=3 VU(B) = 3\ \mathrm V, la tensione è VAB=8−3=5 VV_{AB} = 8 - 3 = 5\ \mathrm V e VBA=−5 VV_{BA} = -5\ \mathrm V; su un percorso chiuso la tensione è 00.

II. Componenti, porte e potenza

Componenti elettrici e modello a parametri concentrati

Proprietà (regime stazionario). Tutte le grandezze sono costanti nel tempo. Allora valgono due fatti esatti:

  1. il campo di corrente è solenoidale: la corrente totale uscente da qualunque superficie chiusa è nulla (nessun accumulo di carica, vedi la legge di continuitàLa corrente uscente da una superficie chiusa è l'opposto della derivata della carica interna; se nulla è variabile, la derivata è zero.Carica e corrente elettrica →);
  2. il campo elettrico è conservativo: la tensione non dipende dalla linea ma solo dagli estremi, quindi è una differenza di potenziale.

Esempio. Una pila alimenta una lampadina con corrente costante 0,5 A0{,}5\ \mathrm A: dal morsetto ++ entrano 0,5 A0{,}5\ \mathrm A nella lampadina e ne escono 0,5 A0{,}5\ \mathrm A dall'altro, e con potenziali uA=6 Vu_A = 6\ \mathrm V e uB=0u_B = 0 la tensione è vAB=6 Vv_{AB} = 6\ \mathrm V.

Proprietà (regime quasi stazionario). Le grandezze variano nel tempo, i(t)i(t) e v(t)v(t), ma le variazioni sono "sufficientemente lente". Restando fuori dai componenti si ammette ancora, con ottima approssimazione, che:

  1. la corrente totale uscente dalla superficie limite di ogni componente è nulla;
  2. tutte le tensioni tra coppie di morsetti sono differenze di potenziale.

Esempio. A f=50 Hzf = 50\ \mathrm{Hz} la lunghezza d'onda è λ=c/f=3⋅108/50=6000 km\lambda = c/f = 3 \cdot 10^{8}/50 = 6000\ \mathrm{km}: un impianto di pochi metri è molto più piccolo di λ\lambda e il modello vale. A 2,4 GHz2{,}4\ \mathrm{GHz} è λ=12,5 cm\lambda = 12{,}5\ \mathrm{cm} e un circuito di qualche cm no.

Principio (modello a parametri concentrati). Nel regime stazionario e quasi stazionario, per ogni componente con terminali 1,…,n1, \dots, n:

∑kiusc,k=0vhk=uh−uk∀h,k\sum_{k} i_{usc,k} = 0 \qquad\qquad v_{hk} = u_h - u_k \quad \forall h,k

dove iusc,ki_{usc,k} è la corrente del terminale kk presa con riferimento uscente e uhu_h è il potenziale del morsetto hh.

Esempio. Un tripolo con correnti uscenti i1=2 Ai_1 = 2\ \mathrm A e i2=3 Ai_2 = 3\ \mathrm A ha dal terzo terminale i3=−5 Ai_3 = -5\ \mathrm A uscenti (cioè ne entrano 5 A5\ \mathrm A); con u1=10 Vu_1 = 10\ \mathrm V e u2=4 Vu_2 = 4\ \mathrm V la tensione è v12=10−4=6 Vv_{12} = 10 - 4 = 6\ \mathrm V.

Bipoli, n-poli e porte elettriche

Proprietà (le correnti uscenti di un n-polo sommano a zero). 1. Le correnti. Prese tutte con riferimento uscente:

∑k=1niusc,k=0\sum_{k=1}^{n} i_{usc,k} = 0

Esempio. Un tripolo con correnti uscenti i1=2 Ai_1 = 2\ \mathrm A e i2=3 Ai_2 = 3\ \mathrm A ha i3=−(2+3)=−5 Ai_3 = -(2 + 3) = -5\ \mathrm A: dal terzo terminale ne entrano 5 A5\ \mathrm A.

Proprietà (le tensioni di un n-polo sono differenze di potenziale). 2. Le tensioni. Ogni tensione tra due morsetti è una differenza di potenziale, vhk=uh−ukv_{hk} = u_h - u_k. Quindi, girando una volta per tutti i morsetti e tornando al primo:

v12+v23+⋯+v(n−1)n+vn1=(u1−u2)+(u2−u3)+⋯+(un−u1)=0v_{12} + v_{23} + \dots + v_{(n-1)n} + v_{n1} = (u_1 - u_2) + (u_2 - u_3) + \dots + (u_n - u_1) = 0

(ogni potenziale compare una volta con il ++ e una con il −-). Lo stesso vale per un giro su un sottoinsieme qualsiasi di morsetti: per esempio v13+v34+v41=0v_{13} + v_{34} + v_{41} = 0.

Esempio. Con u1=10 Vu_1 = 10\ \mathrm V, u2=6 Vu_2 = 6\ \mathrm V, u3=1 Vu_3 = 1\ \mathrm V si ha v12+v23+v31=4+5−9=0 Vv_{12} + v_{23} + v_{31} = 4 + 5 - 9 = 0\ \mathrm V.

Proprietà (grandezze indipendenti di un n-polo). Un n-polo ha nn correnti e (n2)\binom{n}{2} tensioni (una per coppia di morsetti), ma non sono tutte indipendenti. Ne bastano n−1n-1 correnti e n−1n-1 tensioni, scelte così:

Esempio (tripolo). Con il morsetto 3 comune: v13=30 Vv_{13} = 30\ \mathrm V, v23=20 Vv_{23} = 20\ \mathrm V. Allora v12=v13−v23=10 Vv_{12} = v_{13} - v_{23} = 10\ \mathrm V. Se entrano i1=5 Ai_1 = 5\ \mathrm A e i2=3 Ai_2 = 3\ \mathrm A, dal terminale 3 escono i3=8 Ai_3 = 8\ \mathrm A.

Definizione (porta elettrica). Una coppia di morsetti forma una porta elettrica (o porta) se in ogni istante la corrente che entra da uno è uguale alla corrente che esce dall'altro.

Esempio. Nei morsetti 11 e 22 di un quadrupolo entrano 4 A4\ \mathrm A in 11 e ne escono 4 A4\ \mathrm A da 22: la coppia è una porta, con corrente di porta i=4 Ai = 4\ \mathrm A.

Definizione (m-bipolo). Un n-polo con nn pari i cui terminali, presi a coppie, formano m=n/2m = n/2 porte si chiama m-bipolo:

Esempio. Un quadrupolo con morsetti 1, 2, 3, 4 in cui I1+I2=0I_1 + I_2 = 0 e I3+I4=0I_3 + I_4 = 0 è un doppio bipolo, con porte (1,2) e (3,4) e tensioni di porta V12V_{12} e V34V_{34}.

Proprietà (ogni n-polo è un (n−1)-bipolo). Con la scelta del morsetto comune vista sopra, i1+⋯+in−1=ini_1 + \dots + i_{n-1} = i_n: la corrente del terminale comune è la somma delle correnti che entrano dagli altri. Si può allora pensare il morsetto comune come il "ritorno" condiviso di n−1n-1 porte: la porta kk è formata dal morsetto kk e dal morsetto comune, con tensione vknv_{kn} e corrente iki_k. Un n-polo si può sempre vedere come un (n−1)(n-1)-bipolo.

Esempio: il transistor npn (tripolo con base bb, collettore cc, emettitore ee) si usa come doppio bipolo in due modi:

Convenzioni, potenza e lavoro elettrico

Definizione (convenzione dell'utilizzatore e del generatore).

Convenzione Definizione Con le frecce
dell'utilizzatore la corrente entra nel morsetto ++ frecce di vv e ii contrapposte
del generatore la corrente esce dal morsetto ++ frecce di vv e ii equiverse

Esempio. Con v=12 Vv = 12\ \mathrm V e la corrente i=2 Ai = 2\ \mathrm A che entra dal ++ (utilizzatore) si ha p=24 Wp = 24\ \mathrm W assorbiti; invertendo la freccia di ii (generatore) la corrente letta è −2 A-2\ \mathrm A e p=−24 Wp = -24\ \mathrm W uscenti, cioè sempre 24 W24\ \mathrm W assorbiti.

Formula (potenza elettrica di una porta). Il prodotto della tensione di porta per la corrente di porta è la potenza elettrica della porta:

pk=vk ik=dLdq⋅dqdt=dLdt[V⋅A=W]p_k = v_k \, i_k = \frac{d\mathcal L}{dq} \cdot \frac{dq}{dt} = \frac{d\mathcal L}{dt} \qquad [\mathrm{V \cdot A} = \mathrm W]

Esempio. Con v=12 Vv = 12\ \mathrm V e i=0,5 Ai = 0{,}5\ \mathrm A la potenza è p=12⋅0,5=6 Wp = 12 \cdot 0{,}5 = 6\ \mathrm W.

Proprietà (segno della potenza e convenzioni).

Convenzione Nome di p=v ip = v\,i Se p>0p > 0 Se p<0p < 0
utilizzatore potenza entrante il componente assorbe pp il componente eroga ∣p∣\lvert p \rvert
generatore potenza uscente il componente eroga pp il componente assorbe ∣p∣\lvert p \rvert

Esempio 1 (utilizzatore). Su un bipolo all'istante t1t_1: v(t1)=100 Vv(t_1) = 100\ \mathrm V, i(t1)=2 Ai(t_1) = 2\ \mathrm A. p(t1)=100⋅2=+200 Wp(t_1) = 100 \cdot 2 = +200\ \mathrm W, potenza entrante positiva: il bipolo assorbe 200 W200\ \mathrm W.

Formula (potenza di un m-bipolo). Se le mm porte di un m-bipolo sono tutte convenzionate allo stesso modo, la potenza totale è la somma:

p=∑k=1mpk=∑k=1mvk ikp = \sum_{k=1}^{m} p_k = \sum_{k=1}^{m} v_k \, i_k

Esempio 3 (doppio bipolo, regime stazionario). Porta 1: V1=100 VV_1 = 100\ \mathrm V, I1=5 AI_1 = 5\ \mathrm A, convenzione dell'utilizzatore. Porta 2: V2=50 VV_2 = 50\ \mathrm V, I2=2 AI_2 = 2\ \mathrm A, convenzione del generatore.

Definizione (lavoro elettrico). Il lavoro elettrico scambiato alla porta hh nell'intervallo Δt\Delta t è l'integrale della potenza:

Lh=∫Δtph(t) dt=∫Δtvh(t) ih(t) dt[J]\mathcal L_h = \int_{\Delta t} p_h(t) \, dt = \int_{\Delta t} v_h(t) \, i_h(t) \, dt \qquad [\mathrm J]

  • È entrante o uscente come la potenza da cui viene (dipende dalla convenzione).
  • Spesso, in modo improprio, si chiama "energia elettrica".
  • Per un m-bipolo con tutte le porte convenzionate allo stesso modo: L=∑hLh=∫Δtp(t) dt\mathcal L = \sum_h \mathcal L_h = \int_{\Delta t} p(t)\,dt.
  • Unità pratica: il wattora, 1 Wh=1 W⋅3600 s=3600 J1\ \mathrm{Wh} = 1\ \mathrm W \cdot 3600\ \mathrm s = 3600\ \mathrm J, e il kilowattora: 1 kWh=3,6 MJ1\ \mathrm{kWh} = 3{,}6\ \mathrm{MJ}.

Esempio con potenza costante. Un forno assorbe P=2 kWP = 2\ \mathrm{kW} per 1,5 h1{,}5\ \mathrm h: L=2⋅1,5=3 kWh=3⋅3,6=10,8 MJ\mathcal L = 2 \cdot 1{,}5 = 3\ \mathrm{kWh} = 3 \cdot 3{,}6 = 10{,}8\ \mathrm{MJ}.

Grafico interattivo: p(t) = 20 − 10t: sopra l'asse il bipolo assorbe, sotto eroga; le due aree si compensano

Definizione (componente passivo). Passivi. Possono al più immagazzinare il lavoro assorbito sotto forma di energia elettrica o magnetica ww, che è necessariamente limitata. In qualunque intervallo non possono erogare più lavoro di quanta energia immagazzinata perdono nello stesso tempo: Lu(t0,t)≤w(t0)−w(t)∀t0, ∀t>t0\mathcal L_u(t_0, t) \le w(t_0) - w(t) \qquad \forall t_0,\ \forall t > t_0

In regime stazionario l'energia immagazzinata è costante, w(t)=w(t0)w(t) = w(t_0), quindi Lu≤0\mathcal L_u \le 0 e la potenza uscente è Pu≤0P_u \le 0: un componente passivo in regime stazionario può solo assorbire potenza (o non scambiarne). Esempio: il resistore, che trasforma in calore tutta la potenza che assorbe (Resistore e legge di OhmPer molti materiali V = R I (legge di Ohm), con R = ρℓ/S per un cilindro; la potenza assorbita R I² diventa calore (effetto Joule), quindi il resistore con R > 0 è passivo. Il resistore ideale è il bipolo v = R i: lineare, tempo-invariante, bilaterale; i casi limite sono il cortocircuito (R = 0) e il circuito aperto (R = ∞).Resistore e legge di Ohm →).

Esempio. Un condensatore con energia immagazzinata w(t0)=5 Jw(t_0) = 5\ \mathrm J che scende a w(t)=2 Jw(t) = 2\ \mathrm J può erogare al massimo Lu≤5−2=3 J\mathcal L_u \le 5 - 2 = 3\ \mathrm J.

III. Resistori e generatori

Resistore e legge di Ohm

Legge di Ohm. L'esperienza di Ohm. Un cilindro di materiale omogeneo, con sezione SS, è collegato a un generatore. Un amperometro misura la corrente II nel cilindro e un voltmetro la tensione VV tra due sezioni SAS_A e SBS_B a distanza ℓ\ell (con la convenzione dell'utilizzatore). Per molti materiali si trova che, qualunque sia VV:

V=R IoppureI=G V,G=1R,R>0V = R\,I \qquad\text{oppure}\qquad I = G\,V, \quad G = \frac1R, \qquad R > 0

Esempio. Un resistore con V=12 VV = 12\ \mathrm V ai capi e I=0,5 AI = 0{,}5\ \mathrm A ha R=V/I=24 ΩR = V/I = 24\ \Omega, cioè G=1/24≈0,042 SG = 1/24 \approx 0{,}042\ \mathrm S.

Formula (resistenza di un cilindro). R=ρ ℓSG=γ SℓR = \rho\,\frac{\ell}{S} \qquad\qquad G = \gamma\,\frac{S}{\ell}

  • ρ\rho = resistività del materiale, in Ω m\Omega\,\mathrm m;
  • γ=1/ρ\gamma = 1/\rho = conducibilità (o conduttività), in S/m\mathrm{S/m}.

Esempio. Filo di rame (ρ≈1,7⋅10−8 Ω m\rho \approx 1{,}7 \cdot 10^{-8}\ \Omega\,\mathrm m), lungo ℓ=10 m\ell = 10\ \mathrm m, sezione S=1,5 mm2=1,5⋅10−6 m2S = 1{,}5\ \mathrm{mm^2} = 1{,}5 \cdot 10^{-6}\ \mathrm{m^2}:

Formula (dipendenza della resistività dalla temperatura). Dipendenza dalla temperatura. Di solito

ρ=ρ0 (1+α (T−T0))\rho = \rho_0\,\big(1 + \alpha\,(T - T_0)\big)

dove ρ0\rho_0 è la resistività misurata alla temperatura di riferimento T0T_0 e α\alpha è il coefficiente di temperatura del materiale. Nei metalli α>0\alpha > 0 (scaldandosi conducono peggio), nei semiconduttori α<0\alpha < 0.

Esempio. Rame, α≈0,0039 K−1\alpha \approx 0{,}0039\ \mathrm K^{-1}, da 20 ∘C20\ ^\circ\mathrm C a 70 ∘C70\ ^\circ\mathrm C: ρ=ρ0 (1+0,0039⋅50)≈1,2 ρ0\rho = \rho_0\,(1 + 0{,}0039 \cdot 50) \approx 1{,}2\,\rho_0, cioè +20%+20\%. Il filamento di tungsteno di una lampadina (α≈0,0045 K−1\alpha \approx 0{,}0045\ \mathrm K^{-1}) passa da 2020 a circa 2500 ∘C2500\ ^\circ\mathrm C: la sua resistività (quindi la sua resistenza) diventa circa 1212 volte quella a freddo.

Legge di Joule (potenza dissipata da un resistore). Con la convenzione dell'utilizzatore e la legge di Ohm, la potenza entrante nel conduttore è

P=V I=R I2=V2R=G V2P = V\,I = R\,I^2 = \frac{V^2}{R} = G\,V^2

Esempio. Una lampadina da R=5 ΩR = 5\ \Omega percorsa da I=0,3 AI = 0{,}3\ \mathrm A assorbe P=5⋅0,32=0,45 WP = 5 \cdot 0{,}3^2 = 0{,}45\ \mathrm W.

Legge di Ohm in forma locale. La relazione V=RIV = RI per un cilindro discende da una relazione che vale punto per punto nel materiale (la legge di Ohm alle grandezze specifiche):

E=ρ J(equivalentemente J=γ E)\mathbf E = \rho\,\mathbf J \qquad (\text{equivalentemente } \mathbf J = \gamma\,\mathbf E)

Esempio. Nel rame (ρ=1,7⋅10−8 Ω m\rho = 1{,}7 \cdot 10^{-8}\ \Omega\,\mathrm m) con J=106 A/m2J = 10^{6}\ \mathrm{A/m^2} il campo è E=ρJ=1,7⋅10−8⋅106=1,7⋅10−2 V/mE = \rho J = 1{,}7 \cdot 10^{-8} \cdot 10^{6} = 1{,}7 \cdot 10^{-2}\ \mathrm{V/m}.

Definizione (resistore ideale). È il bipolo con equazione (convenzione dell'utilizzatore)

v=R i⟺i=G v,G=1Rv = R\,i \qquad\Longleftrightarrow\qquad i = G\,v, \quad G = \frac1R

Esempio. Con R=5 ΩR = 5\ \Omega e i=2 Ai = 2\ \mathrm A si ha v=R i=10 Vv = R\,i = 10\ \mathrm V; con v=7,5 Vv = 7{,}5\ \mathrm V si ha i=G v=0,2⋅7,5=1,5 Ai = G\,v = 0{,}2 \cdot 7{,}5 = 1{,}5\ \mathrm A.

Grafico interattivo: Caratteristica i = G·v di un resistore con R = 5 Ω (G = 0,2 S): retta per l'origine (v in ascissa, i in ordinata)

Definizione (cortocircuito e circuito aperto).

Bipolo Parametri Equazione Potenza Caratteristica
cortocircuito R=0R = 0 (G=∞G = \infty) v=0v = 0 per ogni ii p=0p = 0 l'asse delle correnti
circuito aperto R=∞R = \infty (G=0G = 0) i=0i = 0 per ogni vv p=0p = 0 l'asse delle tensioni

Esempio. Un filo ideale (R=0R = 0) percorso da 3 A3\ \mathrm A ha v=0v = 0; un interruttore aperto (R=∞R = \infty) con 12 V12\ \mathrm V ai capi ha i=0i = 0; in entrambi i casi p=0p = 0.

Generatori elettrici, GIT e GAT

Definizione (forza elettromotrice). La forza elettromotrice (f.e.m.) è l'integrale del campo generatore lungo una linea interna al generatore, dal morsetto BB (quello −-) al morsetto AA (quello ++):

e(t)=∫B,ℓAEg⋅dℓe(t) = \int_{B,\ell}^{A} \mathbf E_g \cdot d\boldsymbol\ell

Esempio. Se EgE_g è uniforme e vale 150 V/m150\ \mathrm{V/m} lungo un percorso interno di 1 cm1\ \mathrm{cm} dal −- al ++, la f.e.m. è e=Eg ℓ=150⋅0,01=1,5 Ve = E_g\,\ell = 150 \cdot 0{,}01 = 1{,}5\ \mathrm V.

Proprietà (la f.e.m. è uguale alla tensione a vuoto).  e(t)=v0(t) \boxed{\,e(t) = v_0(t)\,}

La f.e.m. di un generatore è la tensione che un voltmetro (ideale) misura ai suoi morsetti quando il generatore è a vuoto.

Esempio. Un voltmetro ideale collegato ai morsetti di una pila senza carico indica 1,5 V1{,}5\ \mathrm V: è la sua f.e.m., e=v0=1,5 Ve = v_0 = 1{,}5\ \mathrm V.

Formula (generatore reale a carico). Per molti generatori (per esempio quelli elettrochimici) in regime stazionario la differenza tra vuoto e carico è proporzionale alla corrente II che attraversa il generatore (convenzione del generatore: II esce dal ++):

E−V=Ri I⟺V=E−Ri IE - V = R_i\,I \qquad\Longleftrightarrow\qquad V = E - R_i\,I

RiR_i si chiama resistenza interna del generatore.

Esempio. Una pila con E=1,5 VE = 1{,}5\ \mathrm V e Ri=0,15 ΩR_i = 0{,}15\ \Omega che eroga I=0,2 AI = 0{,}2\ \mathrm A ha ai morsetti V=1,5−0,15⋅0,2=1,47 VV = 1{,}5 - 0{,}15 \cdot 0{,}2 = 1{,}47\ \mathrm V.

Formula (bilancio di potenza di un generatore reale). Moltiplicando per II:

VI=EI−RiI2V I = E I - R_i I^2

Con la convenzione del generatore e V,E,IV, E, I concordi (per esempio tutti positivi):

  • Pg=E IP_g = E\,I è la potenza generata, cioè trasferita alle cariche dalla forza generatrice;
  • Pd=Ri I2P_d = R_i\,I^2 è la quota dissipata dentro il generatore (effetto Joule interno);
  • P=V I=Pg−PdP = V\,I = P_g - P_d è la potenza erogata al circuito esterno.

Esempio. Con E=1,5 VE = 1{,}5\ \mathrm V, Ri=0,15 ΩR_i = 0{,}15\ \Omega, I=0,2 AI = 0{,}2\ \mathrm A: Pg=0,3 WP_g = 0{,}3\ \mathrm W generati, Pd=0,15⋅0,22=0,006 WP_d = 0{,}15 \cdot 0{,}2^2 = 0{,}006\ \mathrm W dissipati e P=1,47⋅0,2=0,294 WP = 1{,}47 \cdot 0{,}2 = 0{,}294\ \mathrm W erogati.

Definizione (generatore ideale di tensione, GIT). È il bipolo con equazione

v(t)=e(t)∀ i(t)v(t) = e(t) \qquad \forall\, i(t)

  • La tensione è impressa: non dipende dalla corrente, che è decisa dal resto del circuito.
  • La f.e.m. può essere costante (V=EV = E) o variabile nel tempo (per esempio sinusoidale).
  • Caratteristica nel piano vv–ii: una retta parallela all'asse delle correnti, all'altezza v=ev = e. Non passa per l'origine, tranne nel caso limite e=0e = 0 (in cui il GIT diventa un cortocircuito).
  • È attivo: può erogare (e assorbire) lavoro senza limiti.
  • È il modello di un generatore reale quando la potenza dissipata internamente è trascurabile (Ri=0R_i = 0).

Esempio. Un GIT con e=12 Ve = 12\ \mathrm V collegato a un resistore da 4 Ω4\ \Omega eroga i=3 Ai = 3\ \mathrm A, collegato a uno da 12 Ω12\ \Omega eroga 1 A1\ \mathrm A: la tensione resta 12 V12\ \mathrm V.

Formula (potenza del GIT). Potenza. Con la convenzione del generatore la potenza uscente è

pu=v i=e ip_u = v\,i = e\,i

ed è positiva (erogata) o negativa (assorbita) a seconda che ee e ii siano concordi o discordi. Il segno lo decide il circuito, non il generatore.

Esempio. Con e=12 Ve = 12\ \mathrm V e i=3 Ai = 3\ \mathrm A concordi, pu=36 Wp_u = 36\ \mathrm W erogati; con i=−2 Ai = -2\ \mathrm A è pu=−24 Wp_u = -24\ \mathrm W, cioè il GIT assorbe 24 W24\ \mathrm W.

Definizione (generatore affine di tensione, GAT). Un generatore reale fa due cose: genera e dissipa. Per rappresentarle entrambe si usa il bipolo (convenzione del generatore)

V=E−Ri IV = E - R_i\,I

detto generatore affine di tensione ("affine" perché la caratteristica è una retta che non passa per l'origine). Equivale a un GIT di f.e.m. EE in serie a un resistore RiR_i.

  • Caratteristica: retta che taglia l'asse VV in EE (a vuoto, I=0I = 0) e scende con pendenza RiR_i. Taglia l'asse II in Icc=E/RiI_{cc} = E / R_i, la corrente di cortocircuito (quella che scorre con i morsetti collegati da un filo, V=0V = 0).
  • Se Ri=0R_i = 0 il GAT si riduce a un GIT.

Esempio. Una pila con E=1,5 VE = 1{,}5\ \mathrm V e Ri=0,15 ΩR_i = 0{,}15\ \Omega ha corrente di cortocircuito Icc=E/Ri=1,5/0,15=10 AI_{cc} = E/R_i = 1{,}5/0{,}15 = 10\ \mathrm A.

Definizione (punto di lavoro). Il punto di lavoro è la coppia (I,V)(I, V) che soddisfa contemporaneamente l'equazione del generatore e quella del carico: graficamente è l'intersezione delle due caratteristiche nel piano II–VV.

Esempio. Pila (E=1,5 VE = 1{,}5\ \mathrm V, Ri=0,15 ΩR_i = 0{,}15\ \Omega) su una lampadina da R=5 ΩR = 5\ \Omega: I=E/(Ri+R)=1,5/5,15≈0,291 AI = E/(R_i + R) = 1{,}5/5{,}15 \approx 0{,}291\ \mathrm A e V=R I≈1,456 VV = R\,I \approx 1{,}456\ \mathrm V.

Grafico interattivo: Caratteristica del GAT V = 1,5 − 0,15·I (I in ascissa): il punto di lavoro con la lampadina è a I ≈ 0,291 A, dove V ≈ 1,456 V

IV. Leggi di Kirchhoff e reti di bipoli

Leggi di Kirchhoff (LKC e LKT)

Legge di Kirchhoff delle correnti (LKC). In ogni istante è nulla la somma algebrica delle correnti dei terminali tagliati da ScS_c: ∑k± ik(t)=0\sum_k \pm\, i_k(t) = 0

Esempio. Se dalla superficie escono i1=2 Ai_1 = 2\ \mathrm A, i2=1 Ai_2 = 1\ \mathrm A e i4=3 Ai_4 = 3\ \mathrm A ed entra i3i_3, da i1+i2−i3+i4=0i_1 + i_2 - i_3 + i_4 = 0 si ricava i3=6 Ai_3 = 6\ \mathrm A.

Formula (LKC a un nodo). Forma pratica: LKC a un nodo. Il caso più usato è la superficie che racchiude un solo nodo:

∑(correnti uscenti dal nodo)=∑(correnti entranti nel nodo)\sum (\text{correnti uscenti dal nodo}) = \sum (\text{correnti entranti nel nodo})

Esempio. In un nodo entrano 3 A3\ \mathrm A e 2 A2\ \mathrm A ed escono ixi_x e 4 A4\ \mathrm A. Allora 3+2=ix+43 + 2 = i_x + 4, quindi ix=1 Ai_x = 1\ \mathrm A.

Legge di Kirchhoff delle tensioni (LKT). In ogni istante è nulla la somma algebrica delle tensioni tra nodi successivi, percorrendo la linea chiusa in un verso scelto a piacere: ∑k± vk(t)=0\sum_k \pm\, v_k(t) = 0

Esempio. Con v1=10 Vv_1 = 10\ \mathrm V, v2=4 Vv_2 = 4\ \mathrm V e v3=3 Vv_3 = 3\ \mathrm V, da v1−v2−v3−v4=0v_1 - v_2 - v_3 - v_4 = 0 si ricava v4=10−4−3=3 Vv_4 = 10 - 4 - 3 = 3\ \mathrm V.

Formula (potenziali di nodo). La LKT equivale a dire che si può assegnare a ogni nodo kk un potenziale uku_k (definito a meno di una costante) tale che la tensione tra due nodi sia

vhk=uh−ukv_{hk} = u_h - u_k

Esempio. Con u1=5 Vu_1 = 5\ \mathrm V e u2=2 Vu_2 = 2\ \mathrm V la tensione tra i nodi è v12=5−2=3 Vv_{12} = 5 - 2 = 3\ \mathrm V e v21=−3 Vv_{21} = -3\ \mathrm V.

Proprietà (equazioni di Kirchhoff indipendenti). In una rete con nn nodi e ℓ\ell lati (bipoli) non tutte le LKC e LKT che si possono scrivere sono indipendenti:

  • le LKC indipendenti sono n−1n - 1: per esempio quelle scritte su n−1n - 1 nodi qualsiasi (la LKC sull'ultimo nodo è la somma delle altre cambiata di segno);
  • le LKT indipendenti sono ℓ−n+1\ell - n + 1: per una rete disegnata nel piano senza incroci basta scriverle sugli anelli, cioè le "finestre" del disegno.

Esempio. Una rete con n=5n = 5 nodi e ℓ=8\ell = 8 lati ha 44 LKC indipendenti e 8−5+1=48 - 5 + 1 = 4 LKT indipendenti (vedi Esercizio 1.6 - legge di Kirchhoff delle tensioni e Esercizio 1.7 - legge di Kirchhoff delle correnti).

Grafo di una rete ed equazioni indipendenti

Formula (numero di anelli di un grafo piano). Anello. In un grafo piano, una maglia che contorna una "finestra" del disegno, cioè una zona del piano che non contiene altri lati o nodi. Per un grafo piano connesso il numero di anelli è

m=ℓ−n+1m = \ell - n + 1

Nell'esempio m=5−4+1=2m = 5 - 4 + 1 = 2: gli anelli sono i due triangoli {a1,a2,a5}\{a_1, a_2, a_5\} e {a3,a4,a5}\{a_3, a_4, a_5\}. Il bordo del quadrato è una maglia ma non un anello (contiene la diagonale). Se si ridisegna il grafo in un altro modo gli anelli possono cambiare, ma il loro numero resta ℓ−n+1\ell - n + 1.

Esempio. Un grafo piano connesso con ℓ=9\ell = 9 lati e n=6n = 6 nodi ha m=9−6+1=4m = 9 - 6 + 1 = 4 anelli.

Definizione (albero di un grafo). Albero. Un insieme di lati che tocca tutti i nodi, è connesso e non contiene maglie. Ha sempre

ℓa=n−1 lati\ell_a = n - 1 \text{ lati}

Esempio. Con n=4n = 4 nodi un albero ha n−1=3n - 1 = 3 lati, per esempio {a1,a4,a5}\{a_1, a_4, a_5\}.

Definizione (coalbero). Coalbero. I lati che non stanno nell'albero scelto. Ne ha

ℓc=ℓ−ℓa=ℓ−n+1\ell_c = \ell - \ell_a = \ell - n + 1

Esempio. Con ℓ=5\ell = 5 lati e n=4n = 4 nodi il coalbero ha ℓ−n+1=2\ell - n + 1 = 2 lati: per l'albero {a1,a4,a5}\{a_1, a_4, a_5\} è {a2,a3}\{a_2, a_3\}.

Teorema (numero di LKT indipendenti). Si sceglie un albero. Ogni lato di coalbero collega due nodi RR e SS; siccome l'albero è connesso e tocca tutti i nodi, esiste un percorso fatto solo di lati d'albero tra RR e SS. Il lato di coalbero più quel percorso formano una maglia (detta maglia fondamentale). Si scrive la LKT su ciascuna.

Sono indipendenti perché ciascuna contiene una tensione che nelle altre non compare: quella del "suo" lato di coalbero (le altre maglie fondamentali sono fatte con lati d'albero e con lati di coalbero diversi). Il loro numero è il numero di lati di coalbero:

 LKT indipendenti: ℓ−n+1 \boxed{\ \text{LKT indipendenti: } \ell - n + 1\ }

Esempio. Con l'albero {a1,a4,a5}\{a_1, a_4, a_5\}:

  • lato di coalbero a2a_2 (nodi 2 e 3): percorso d'albero 2→1→32 \to 1 \to 3 (a1a_1, poi a5a_5), maglia {a1,a2,a5}\{a_1, a_2, a_5\};
  • lato di coalbero a3a_3 (nodi 3 e 4): percorso d'albero 3→1→43 \to 1 \to 4 (a5a_5, poi a4a_4), maglia {a3,a4,a5}\{a_3, a_4, a_5\}.

Teorema (numero di LKC indipendenti). Con lo stesso albero, si prende un lato d'albero: togliendolo, l'albero si spezza in due parti. Si prende una superficie chiusa che racchiude una delle due parti e lascia fuori l'altra: taglia quel lato d'albero, nessun altro lato d'albero, e alcuni lati di coalbero. È un taglio fondamentale; si scrive la LKC su di esso.

Ciascuna di queste LKC contiene la corrente del "suo" lato d'albero, che nelle altre non compare: sono indipendenti, e sono tante quanti i lati d'albero:

 LKC indipendenti: n−1 \boxed{\ \text{LKC indipendenti: } n - 1\ }

Esempio. Con l'albero {a1,a4,a5}\{a_1, a_4, a_5\}:

  • lato a1a_1: togliendolo, il nodo 2 resta isolato; la superficie attorno al nodo 2 taglia {a1,a2}\{a_1, a_2\};
  • lato a4a_4: resta isolato il nodo 4; taglio {a3,a4}\{a_3, a_4\};
  • lato a5a_5: resta isolato il nodo 3; taglio {a2,a3,a5}\{a_2, a_3, a_5\}.

Proprietà (il sistema di equazioni di una rete: 2ℓ equazioni in 2ℓ incognite).

Equazioni Da dove Quante Che tipo
LKC topologia n−1n - 1 lineari, omogenee
LKT topologia ℓ−n+1\ell - n + 1 lineari, omogenee
equazioni dei bipoli tipologia ℓ\ell possono essere non lineari
totale 2ℓ2\ell

Esempio. Con ℓ=5\ell = 5 bipoli e n=4n = 4 nodi: 33 LKC, 22 LKT e 55 equazioni dei bipoli, in tutto 10=2ℓ10 = 2\ell equazioni per 1010 incognite.

Teorema di Tellegen

Teorema di Tellegen. Si prende una rete di ℓ\ell bipoli e nn nodi e si adotta la stessa convenzione per tutti i bipoli (per fissare le idee, quella dell'utilizzatore). Siano v1,…,vℓv_1, \dots, v_\ell le tensioni e i1,…,iℓi_1, \dots, i_\ell le correnti dei bipoli.

Se

  • le tensioni soddisfano le LKT (per esempio sono i valori a un istante t1t_1),
  • le correnti soddisfano le LKC (per esempio sono i valori a un istante t2t_2, anche diverso da t1t_1),

allora

 ∑h=1ℓvh ih=0 \boxed{\ \sum_{h=1}^{\ell} v_h\, i_h = 0\ }

Esempio. Tre bipoli in serie con la stessa corrente i=2 Ai = 2\ \mathrm A e tensioni (convenzione dell'utilizzatore) v1=10 Vv_1 = 10\ \mathrm V, v2=5 Vv_2 = 5\ \mathrm V, v3=−15 Vv_3 = -15\ \mathrm V, che rispettano la LKT: ∑vhih=2 (10+5−15)=0 W\sum v_h i_h = 2\,(10 + 5 - 15) = 0\ \mathrm W (assorbiti 20+10=30 W20 + 10 = 30\ \mathrm W, erogati 30 W30\ \mathrm W dal terzo).

Principio (conservazione della potenza). Prendendo tensioni e correnti della stessa rete allo stesso istante tt, ogni prodotto vh(t) ih(t)v_h(t)\,i_h(t) è la potenza entrante nel bipolo hh (convenzione dell'utilizzatore). Il teorema dice:

∑h=1ℓph(t)=0\sum_{h=1}^{\ell} p_h(t) = 0

In ogni istante la somma delle potenze entranti in tutti i bipoli di una rete è zero: la potenza erogata da alcuni bipoli è esattamente quella assorbita dagli altri.

Esempio. Un generatore da 12 V12\ \mathrm V che eroga 2 A2\ \mathrm A (24 W24\ \mathrm W) alimenta due resistori che assorbono 18 W18\ \mathrm W e 6 W6\ \mathrm W: 24=18+624 = 18 + 6.

V. Bipoli adinamici, serie e parallelo

Bipoli adinamici, GIC e diodo ideale

Definizione (bipolo adinamico). Un bipolo si dice adinamico quando questo legame coinvolge solo i valori nello stesso istante di vv e ii:

f(v(t), i(t))=0f\big(v(t),\, i(t)\big) = 0

Esempio. Il resistore v=10 iv = 10\,i è adinamico: con i=0,3 Ai = 0{,}3\ \mathrm A è subito v=3 Vv = 3\ \mathrm V, qualunque sia il passato. Il condensatore i=C dv/dti = C\,dv/dt non lo è.

Definizione (generatore ideale di corrente, GIC). È il "gemello" del GIT con i ruoli di tensione e corrente scambiati:

i(t)=j(t)∀ v(t)i(t) = j(t) \qquad \forall\, v(t)

  • j(t)j(t) è la corrente impressa, in ampere; può essere qualsiasi numero reale e può variare nel tempo.
  • Simbolo: un cerchio con dentro una freccia. La corrente con riferimento concorde con la freccia vale jj; se si sceglie il riferimento opposto vale −j-j.
  • La tensione ai suoi capi non è fissata dal generatore: la decide il resto della rete. Per questo nel simbolo non serve indicare un riferimento di tensione.
  • Caratteristica (con j=Jj = J costante): una retta parallela all'asse delle tensioni, all'altezza i=Ji = J.

Esempio. Un GIC con j=3 Aj = 3\ \mathrm A su un resistore da 2 Ω2\ \Omega dà v=6 Vv = 6\ \mathrm V; su uno da 5 Ω5\ \Omega la corrente resta 3 A3\ \mathrm A e la tensione diventa 15 V15\ \mathrm V.

Grafico interattivo: Caratteristica di un GIC con J = 3 A: la corrente vale 3 A qualunque sia la tensione (v in ascissa, i in ordinata)

Definizione (interruttore ideale). È un bipolo adinamico tempo-variante: a un istante t0t_0 commuta istantaneamente da aperto a chiuso (o viceversa).

  • aperto: corrente nulla per ogni tensione, si comporta come un circuito aperto;
  • chiuso: tensione nulla per ogni corrente, si comporta come un cortocircuito.

Esempio. Un interruttore in serie a un resistore da 10 Ω10\ \Omega alimentato a 5 V5\ \mathrm V: da chiuso vsw=0v_{sw} = 0 e i=0,5 Ai = 0{,}5\ \mathrm A; da aperto i=0i = 0 e vsw=5 Vv_{sw} = 5\ \mathrm V.

Definizione (diodo ideale). La caratteristica è fatta di due semirette che partono dall'origine:

{i=0per v≤0(diodo "interdetto": circuito aperto)v=0per i≥0(diodo "in conduzione": cortocircuito)\begin{cases} i = 0 & \text{per } v \le 0 \quad \text{(diodo "interdetto": circuito aperto)} \\ v = 0 & \text{per } i \ge 0 \quad \text{(diodo "in conduzione": cortocircuito)} \end{cases}

Esempio. Con v=−5 Vv = -5\ \mathrm V il diodo è interdetto (i=0i = 0); con i=2 Ai = 2\ \mathrm A è in conduzione e v=0v = 0. In entrambi i casi p=v i=0p = v\,i = 0.

Grafico interattivo: Caratteristica del diodo ideale nel piano v–i (v in ascissa): per v ≤ 0 la corrente è nulla (interdetto), per i ≥ 0 la tensione è nulla (in conduzione); le due semirette si incontrano nell'origine

Formula (diodo a giunzione pn, equazione di Shockley). Il diodo ideale approssima il diodo a giunzione pn, la cui caratteristica (convenzione dell'utilizzatore, ++ sull'anodo) è

i=IS(e v/(ηVT)−1)i = I_S\left(e^{\,v/(\eta V_T)} - 1\right)

con IS>0I_S > 0 molto piccola (nanoampere o meno), VT≈T/11600V_T \approx T/11600 (circa 25 mV25\ \mathrm{mV} a temperatura ambiente, con TT in kelvin) ed η\eta tra 1 e 2. Per v<0v < 0 la corrente è circa −IS-I_S, praticamente zero; per vv positiva cresce in modo esponenziale. Si studia in Elettronica.

Esempio. Con IS=10−12 AI_S = 10^{-12}\ \mathrm A, ηVT=25 mV\eta V_T = 25\ \mathrm{mV} e v=0,6 Vv = 0{,}6\ \mathrm V: i=10−12 (e0,6/0,025−1)=10−12 (e24−1)≈26,5 mAi = 10^{-12}\,(e^{0{,}6/0{,}025} - 1) = 10^{-12}\,(e^{24} - 1) \approx 26{,}5\ \mathrm{mA}.

Grafico interattivo: Diodo a giunzione pn con I_S = 1e-12 A, ηV_T = 25 mV: corrente in ampere in funzione della tensione in volt

Definizione (bipolo controllato in corrente e in tensione). Data l'equazione f(v,i)=0f(v, i) = 0:

  • il bipolo è controllato in corrente se per ogni corrente ammissibile c'è una e una sola tensione. Allora si può scrivere v=fv(i)v = f_v(i): la corrente "comanda" la tensione;
  • il bipolo è controllato in tensione se per ogni tensione ammissibile c'è una e una sola corrente. Allora si può scrivere i=fi(v)i = f_i(v);
  • se valgono entrambe, le due funzioni sono una l'inversa dell'altra: fv=fi−1f_v = f_i^{-1}.

Esempio. Il GIT v=5 Vv = 5\ \mathrm V è controllato in corrente (vv è funzione di ii) ma non in tensione; il resistore da 2 Ω2\ \Omega è controllato in entrambi: v=2 iv = 2\,i e i=v/2i = v/2.

Serie e parallelo di bipoli

Definizione. Due bipoli b1b_1 e b2b_2 sono in serie se hanno un morsetto in comune (un nodo N) e a quel nodo non è collegato nient'altro. Gli altri due morsetti vanno ai nodi A e B, da cui si collega il resto della rete.

Esempio. Due resistori da 10 Ω10\ \Omega e 40 Ω40\ \Omega con un solo filo nel nodo in mezzo sono in serie; se dal nodo in mezzo parte un terzo filo, non lo sono.

Formula (relazioni della serie). Le relazioni. Si prendono i riferimenti di corrente tutti nello stesso verso (entra da A, attraversa b1b_1, poi b2b_2, esce da B) e la stessa convenzione per b1b_1, b2b_2 e per il bipolo equivalente (per esempio quella dell'utilizzatore). Allora:

  • LKC al nodo N: la corrente che arriva da b1b_1 può solo proseguire in b2b_2, quindi i1=i2=isi_1 = i_2 = i_s;
  • LKT sul giro A → N → B → A: v1+v2−vs=0v_1 + v_2 - v_s = 0, cioè vs=v1+v2v_s = v_1 + v_2.

  is=i1=i2,vs=v1+v2  \boxed{\;i_s = i_1 = i_2, \qquad v_s = v_1 + v_2\;}

Esempio. Con is=2 Ai_s = 2\ \mathrm A nei due resistori da 10 Ω10\ \Omega e 40 Ω40\ \Omega le tensioni sono v1=20 Vv_1 = 20\ \mathrm V e v2=80 Vv_2 = 80\ \mathrm V, quindi vs=100 Vv_s = 100\ \mathrm V.

Formula (resistori in serie). Con ℓ\ell resistori in serie, convenzione dell'utilizzatore su tutti:

vs=∑k=1ℓvk=∑k=1ℓRk ik=(∑k=1ℓRk) isv_s = \sum_{k=1}^{\ell} v_k = \sum_{k=1}^{\ell} R_k\, i_k = \Big(\sum_{k=1}^{\ell} R_k\Big)\, i_s

Il passaggio chiave è ik=isi_k = i_s per ogni kk (stessa corrente), che permette di raccogliere isi_s. Quindi la serie equivale a un resistore di resistenza

  Rs=R1+R2+⋯+Rℓ  \boxed{\;R_s = R_1 + R_2 + \dots + R_\ell\;}

Esempio. Tre resistori da 10 Ω10\ \Omega, 40 Ω40\ \Omega e 22 Ω22\ \Omega in serie danno Rs=72 ΩR_s = 72\ \Omega; con vs=36 Vv_s = 36\ \mathrm V la corrente è is=0,5 Ai_s = 0{,}5\ \mathrm A.

Proprietà (GIT in serie). Due GIT in serie equivalgono a un GIT con tensione impressa uguale alla somma algebrica delle due:

es=∑± eke_s = \sum \pm\, e_k

con il segno ++ per i GIT il cui ++ è "dalla stessa parte" del ++ di vsv_s percorrendo la serie, e il segno −- per gli altri. Esempio: percorrendo da A a B si incontra e1=12 Ve_1 = 12\ \mathrm V dal ++ al −- e poi e2=5 Ve_2 = 5\ \mathrm V dal −- al ++; allora vs=e1−e2=7 Vv_s = e_1 - e_2 = 7\ \mathrm V per ogni corrente.

Esempio. Due GIT da 12 V12\ \mathrm V e 5 V5\ \mathrm V in serie con polarità opposte danno es=12−5=7 Ve_s = 12 - 5 = 7\ \mathrm V; con la stessa polarità 12+5=17 V12 + 5 = 17\ \mathrm V.

Formula (GIT in serie a un resistore). È il caso del generatore reale. Con la convenzione del generatore sul bipolo complessivo, iR=isi_R = i_s, vR=R iRv_R = R\,i_R e la LKT vs−e+vR=0v_s - e + v_R = 0 danno

vs=e−R isv_s = e - R\, i_s

Esempio. Con e=12 Ve = 12\ \mathrm V e R=4 ΩR = 4\ \Omega si ha vs=12−4 isv_s = 12 - 4\,i_s: per is=2 Ai_s = 2\ \mathrm A la tensione è vs=4 Vv_s = 4\ \mathrm V.

Proprietà (GIC in serie a un altro bipolo). Un GIC impone la corrente a tutta la serie: is=ji_s = j qualunque sia la tensione. Quindi

  • GIC in serie a un resistore ⇒\Rightarrow GIC con la stessa jj;
  • GIC in serie a un GIT ⇒\Rightarrow GIC con la stessa jj.

Esempio. Un GIC da 3 A3\ \mathrm A in serie a un resistore da 10 Ω10\ \Omega è, per il resto della rete, ancora un GIC da 3 A3\ \mathrm A; sul resistore però ci sono 30 V30\ \mathrm V.

Definizione. Due bipoli sono in parallelo se i loro morsetti sono collegati alla stessa coppia di nodi A e B.

Esempio. Due resistori con i morsetti sugli stessi nodi A e B e vAB=10 Vv_{AB} = 10\ \mathrm V hanno entrambi 10 V10\ \mathrm V ai capi, anche se nel disegno sono lontani.

Formula (relazioni del parallelo). Le relazioni. Si prendono le tensioni tutte con il ++ su A e la stessa convenzione per tutti i bipoli (per esempio dell'utilizzatore):

  • LKT: i bipoli stanno tutti tra A e B, quindi v1=v2=vpv_1 = v_2 = v_p;
  • LKC al nodo A: ip=i1+i2i_p = i_1 + i_2.

  vp=v1=v2,ip=i1+i2  \boxed{\;v_p = v_1 = v_2, \qquad i_p = i_1 + i_2\;}

Esempio. Con vp=10 Vv_p = 10\ \mathrm V e correnti i1=1 Ai_1 = 1\ \mathrm A, i2=0,25 Ai_2 = 0{,}25\ \mathrm A si ha ip=1,25 Ai_p = 1{,}25\ \mathrm A.

Formula (resistori in parallelo). Con ℓ\ell resistori in parallelo, usando le conduttanze Gk=1/RkG_k = 1/R_k:

ip=∑k=1ℓik=∑k=1ℓGk vk=(∑k=1ℓGk) vpi_p = \sum_{k=1}^{\ell} i_k = \sum_{k=1}^{\ell} G_k\, v_k = \Big(\sum_{k=1}^{\ell} G_k\Big)\, v_p

Qui il passaggio chiave è vk=vpv_k = v_p (stessa tensione). Il parallelo equivale a un resistore di conduttanza

  Gp=G1+G2+⋯+Gℓ⟺1Rp=1R1+1R2+⋯+1Rℓ  \boxed{\;G_p = G_1 + G_2 + \dots + G_\ell \qquad\Longleftrightarrow\qquad \frac{1}{R_p} = \frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2} + \dots + \frac{1}{R_\ell}\;}

Esempio. Tre resistori da 10 Ω10\ \Omega, 40 Ω40\ \Omega e 8 Ω8\ \Omega in parallelo: Gp=0,1+0,025+0,125=0,25 SG_p = 0{,}1 + 0{,}025 + 0{,}125 = 0{,}25\ \mathrm S, cioè Rp=4 ΩR_p = 4\ \Omega.

Formula (due resistori in parallelo: prodotto diviso somma). Due resistori. Il caso più frequente ha una formula comoda, "prodotto diviso somma":

Rp=1G1+G2=11R1+1R2=R1R2R1+R2R_p = \frac{1}{G_1 + G_2} = \frac{1}{\frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2}} = \frac{R_1 R_2}{R_1 + R_2}

L'ultimo passaggio si ottiene moltiplicando numeratore e denominatore per R1R2R_1 R_2. Esempio: 10 Ω∥40 Ω=40050=8 Ω10\ \Omega \parallel 40\ \Omega = \dfrac{400}{50} = 8\ \Omega. Si scrive spesso R1/ ⁣/R2R_1 /\!/ R_2.

Esempio. 12 Ω∥6 Ω=12⋅612+6=4 Ω12\ \Omega \parallel 6\ \Omega = \frac{12 \cdot 6}{12 + 6} = 4\ \Omega.

Proprietà (GIC in parallelo). Due GIC in parallelo equivalgono a un GIC con corrente impressa uguale alla somma algebrica:

jp=∑± jkj_p = \sum \pm\, j_k

con il ++ per i GIC la cui freccia è concorde con il riferimento di ipi_p e il −- per gli altri.

Esempio. Due GIC da 3 A3\ \mathrm A e 1 A1\ \mathrm A in parallelo con frecce opposte equivalgono a un GIC da jp=3−1=2 Aj_p = 3 - 1 = 2\ \mathrm A.

Formula (GIC in parallelo a un resistore). Con la convenzione del generatore sul bipolo complessivo: vR=vpv_R = v_p, iR=G vRi_R = G\,v_R e la LKC ip−j+iR=0i_p - j + i_R = 0 danno

ip=j−G vpi_p = j - G\, v_p

Esempio. Con j=3 Aj = 3\ \mathrm A e G=0,25 SG = 0{,}25\ \mathrm S (4 Ω4\ \Omega) si ha ip=3−0,25 vpi_p = 3 - 0{,}25\,v_p: a vuoto vp=12 Vv_p = 12\ \mathrm V, in cortocircuito ip=3 Ai_p = 3\ \mathrm A.

Proprietà (GIT in parallelo a un altro bipolo). Un GIT impone la tensione a tutto il parallelo: vp=ev_p = e qualunque sia la corrente. Quindi GIT in parallelo a un resistore (o a un GIC) ⇒\Rightarrow GIT con la stessa ee. Il resistore in parallelo è ininfluente verso l'esterno, ma non per la corrente e la potenza del GIT.

Esempio. Un GIT da 12 V12\ \mathrm V in parallelo a un resistore da 6 Ω6\ \Omega è, per il resto della rete, ancora un GIT da 12 V12\ \mathrm V; il resistore assorbe 122/6=24 W12^2/6 = 24\ \mathrm W.

Partitori di tensione e di corrente

Formula (partitore di tensione). Situazione. ℓ\ell resistori in serie, con tensione totale vsv_s nota ai capi della serie. Si vuole la tensione vkv_k sul kk-esimo.

Ricavo. Tutti i resistori hanno la stessa corrente isi_s, e la serie equivale a Rs=∑hRhR_s = \sum_h R_h, quindi

is=vsRs⟹vk=Rk is=RkRs vsi_s = \frac{v_s}{R_s} \qquad\Longrightarrow\qquad v_k = R_k\, i_s = \frac{R_k}{R_s}\, v_s

  vk=RkR1+R2+⋯+Rℓ  vs  \boxed{\;v_k = \frac{R_k}{R_1 + R_2 + \dots + R_\ell}\; v_s\;}

Per due resistori:

v1=R1R1+R2 vs,v2=R2R1+R2 vsv_1 = \frac{R_1}{R_1 + R_2}\, v_s, \qquad v_2 = \frac{R_2}{R_1 + R_2}\, v_s

Esempio. R1=10 ΩR_1 = 10\ \Omega, R2=40 ΩR_2 = 40\ \Omega, vs=100 Vv_s = 100\ \mathrm V: Rs=50 ΩR_s = 50\ \Omega, v1=1050⋅100=20 Vv_1 = \frac{10}{50} \cdot 100 = 20\ \mathrm V, v2=4050⋅100=80 Vv_2 = \frac{40}{50} \cdot 100 = 80\ \mathrm V. Controllo: 20+80=10020 + 80 = 100.

Formula (partitore di corrente). Situazione. ℓ\ell resistori in parallelo, con corrente totale ipi_p nota. Si vuole la corrente iki_k nel kk-esimo ramo.

Ricavo. Tutti i resistori hanno la stessa tensione vpv_p, e il parallelo equivale a Gp=∑hGhG_p = \sum_h G_h, quindi

vp=ipGp⟹ik=Gk vp=GkGp ipv_p = \frac{i_p}{G_p} \qquad\Longrightarrow\qquad i_k = G_k\, v_p = \frac{G_k}{G_p}\, i_p

  ik=GkG1+G2+⋯+Gℓ  ip  \boxed{\;i_k = \frac{G_k}{G_1 + G_2 + \dots + G_\ell}\; i_p\;}

La corrente si ripartisce in proporzione alle conduttanze: il ramo con resistenza più piccola prende più corrente.

Esempio. Tre rami da 2 Ω2\ \Omega, 4 Ω4\ \Omega e 4 Ω4\ \Omega con ip=12 Ai_p = 12\ \mathrm A: Gp=0,5+0,25+0,25=1 SG_p = 0{,}5 + 0{,}25 + 0{,}25 = 1\ \mathrm S, quindi i1=6 Ai_1 = 6\ \mathrm A, i2=i3=3 Ai_2 = i_3 = 3\ \mathrm A (somma 12 A12\ \mathrm A).

Formula (partitore di corrente tra due resistori: al numeratore la resistenza dell'altro ramo).   i1=R2R1+R2 ip,i2=R1R1+R2 ip  \boxed{\;i_1 = \frac{R_2}{R_1 + R_2}\, i_p, \qquad i_2 = \frac{R_1}{R_1 + R_2}\, i_p\;}

Al numeratore c'è la resistenza dell'altro ramo. È il punto dove si sbaglia di più: confrontandola con il partitore di tensione, dove al numeratore c'è la resistenza dello stesso resistore, sembra un errore di stampa. Non lo è: più è grande R2R_2, più corrente è "spinta" nel ramo 1.

Esempio. R1=10 ΩR_1 = 10\ \Omega, R2=40 ΩR_2 = 40\ \Omega, ip=10 Ai_p = 10\ \mathrm A: i1=4050⋅10=8 Ai_1 = \frac{40}{50} \cdot 10 = 8\ \mathrm A (nel ramo con resistenza minore), i2=1050⋅10=2 Ai_2 = \frac{10}{50} \cdot 10 = 2\ \mathrm A. Controllo: 8+2=108 + 2 = 10 (è la LKC).

Equivalenza tra generatore reale di tensione e di corrente

Formula (da generatore reale di tensione a generatore reale di corrente). Confrontando termine a termine con i=j−Gp vi = j - G_p\, v:

  j=eRs,Gp=1Rs  \boxed{\;j = \frac{e}{R_s}, \qquad G_p = \frac{1}{R_s}\;}

Esempio. Un GIT con e=12 Ve = 12\ \mathrm V in serie a Rs=4 ΩR_s = 4\ \Omega equivale a un GIC con j=12/4=3 Aj = 12/4 = 3\ \mathrm A in parallelo a Gp=1/4=0,25 SG_p = 1/4 = 0{,}25\ \mathrm S.

Formula (da generatore reale di corrente a generatore reale di tensione). Nel verso opposto (da parallelo a serie, se Gp≠0G_p \ne 0) si esplicita vv nella (b): v=jGp−1Gp iv = \dfrac{j}{G_p} - \dfrac{1}{G_p}\, i, e confrontando con la (a):

  e=jGp=j R,Rs=1Gp  \boxed{\;e = \frac{j}{G_p} = j\, R, \qquad R_s = \frac{1}{G_p}\;}

Esempio. Un GIC con j=3 Aj = 3\ \mathrm A in parallelo a Gp=0,25 SG_p = 0{,}25\ \mathrm S equivale a un GIT con e=j/Gp=12 Ve = j/G_p = 12\ \mathrm V in serie a Rs=1/Gp=4 ΩR_s = 1/G_p = 4\ \Omega.

Resistenza equivalente e trasformazione stella-triangolo

Definizione (resistenza equivalente). Si prende una rete fatta solo di resistori passivi, accessibile da due morsetti A e B. Vista da A e B è un bipolo, e si dimostra che questo bipolo è un resistore passivo: con la convenzione dell'utilizzatore

v=Req i⟺i=Geq v,Geq=1Reqv = R_{eq}\, i \qquad\Longleftrightarrow\qquad i = G_{eq}\, v, \quad G_{eq} = \frac{1}{R_{eq}}

ReqR_{eq} è la resistenza equivalente (o resistenza vista) ai morsetti A–B. Il significato pratico: se si applica una tensione vv tra A e B, entra in A la corrente v/Reqv / R_{eq}.

Esempio. Se applicando v=20 Vv = 20\ \mathrm V tra A e B entra in A la corrente i=0,5 Ai = 0{,}5\ \mathrm A, la resistenza equivalente è Req=20/0,5=40 ΩR_{eq} = 20/0{,}5 = 40\ \Omega.

Formula (trasformazione triangolo-stella). Triangolo → stella:

RA=RAB RCARAB+RBC+RCA,RB=RAB RBCRAB+RBC+RCA,RC=RBC RCARAB+RBC+RCAR_A = \frac{R_{AB}\, R_{CA}}{R_{AB} + R_{BC} + R_{CA}}, \qquad R_B = \frac{R_{AB}\, R_{BC}}{R_{AB} + R_{BC} + R_{CA}}, \qquad R_C = \frac{R_{BC}\, R_{CA}}{R_{AB} + R_{BC} + R_{CA}}

Come ricordarla: il resistore della stella attaccato al nodo A ha al numeratore i due lati del triangolo che toccano A (RABR_{AB} e RCAR_{CA}), al denominatore la somma dei tre lati.

Esempio. Triangolo R12=20 ΩR_{12} = 20\ \Omega, R23=80 ΩR_{23} = 80\ \Omega, R31=100 ΩR_{31} = 100\ \Omega (somma 200 Ω200\ \Omega): R1=20⋅100200=10 ΩR_1 = \frac{20 \cdot 100}{200} = 10\ \Omega, R2=20⋅80200=8 ΩR_2 = \frac{20 \cdot 80}{200} = 8\ \Omega, R3=80⋅100200=40 ΩR_3 = \frac{80 \cdot 100}{200} = 40\ \Omega.

Formula (trasformazione stella-triangolo). Stella → triangolo:

RAB=RARB+RBRC+RCRARC,RBC=RARB+RBRC+RCRARA,RCA=RARB+RBRC+RCRARBR_{AB} = \frac{R_A R_B + R_B R_C + R_C R_A}{R_C}, \qquad R_{BC} = \frac{R_A R_B + R_B R_C + R_C R_A}{R_A}, \qquad R_{CA} = \frac{R_A R_B + R_B R_C + R_C R_A}{R_B}

Come ricordarla: numeratore sempre uguale (somma dei prodotti a due a due); al denominatore il resistore della stella opposto al lato cercato (per RABR_{AB} quello attaccato a C, che non tocca né A né B).

Esempio. Stella R1=10 ΩR_1 = 10\ \Omega, R2=20 ΩR_2 = 20\ \Omega, R3=40 ΩR_3 = 40\ \Omega (somma dei prodotti 14001400): R12=1400/40=35 ΩR_{12} = 1400/40 = 35\ \Omega, R23=1400/10=140 ΩR_{23} = 1400/10 = 140\ \Omega, R31=1400/20=70 ΩR_{31} = 1400/20 = 70\ \Omega.

Proprietà (stella e triangolo simmetrici). Caso simmetrico. Se i tre resistori sono uguali:

RΔ=3 RY⟺RY=RΔ3R_\Delta = 3\, R_Y \qquad\Longleftrightarrow\qquad R_Y = \frac{R_\Delta}{3}

Esempio. Un triangolo di tre resistori da 30 Ω30\ \Omega equivale a una stella di tre resistori da 30/3=10 Ω30/3 = 10\ \Omega.

VI. Metodi di analisi delle reti

Analisi nodale (metodo dei potenziali ai nodi)

Formula (analisi nodale per ispezione). Guardando il sistema dell'esempio si vede una struttura fissa. Per il nodo hh:

  Ghh uh−∑k≠hGhk uk=jh  \boxed{\;G_{hh}\, u_h - \sum_{k \ne h} G_{hk}\, u_k = j_h\;}

  • autoconduttanza GhhG_{hh}: somma delle conduttanze di tutti i resistori collegati al nodo hh;
  • mutua conduttanza GhkG_{hk}: somma delle conduttanze dei resistori collegati direttamente tra hh e kk (zero se non ce ne sono);
  • corrente impressa di nodo jhj_h: somma algebrica delle correnti dei GIC collegati al nodo hh, con il ++ se la freccia entra nel nodo e il −- se esce.

Esempio. Nodo 11 con un resistore da 10 Ω10\ \Omega verso massa e uno da 5 Ω5\ \Omega verso il nodo 22, GIC entrante da 2 A2\ \mathrm A: (0,1+0,2) u1−0,2 u2=2(0{,}1 + 0{,}2)\,u_1 - 0{,}2\,u_2 = 2; con u2=0u_2 = 0 si ha u1=2/0,3≈6,67 Vu_1 = 2/0{,}3 \approx 6{,}67\ \mathrm V.

Proprietà (analisi nodale modificata, MNA). Un GIT senza resistore in serie è un problema: la sua corrente non si può scrivere come G⋅vG \cdot v. L'analisi nodale modificata (in inglese MNA, modified nodal analysis) lo risolve così:

  1. per ogni GIT si introduce come incognita in più la sua corrente iei_e (verso scelto a piacere, di solito uscente dal ++);
  2. nelle LKC si tratta il GIT come se fosse un GIC di corrente iei_e: compare nel termine noto del nodo con il ++ se iei_e entra nel nodo, con il −- se esce;
  3. per ogni GIT si aggiunge la sua equazione, scritta con i potenziali: u+−u−=eu_+ - u_- = e.

Esempio. Nodo 11: resistore da 10 Ω10\ \Omega verso massa; nodo 22: resistore da 20 Ω20\ \Omega verso massa e GIC entrante da 1 A1\ \mathrm A; tra 11 (−-) e 22 (++) un GIT da 5 V5\ \mathrm V con corrente iei_e uscente dal ++. Il sistema 0,1 u1=−ie0{,}1\,u_1 = -i_e, 0,05 u2=1+ie0{,}05\,u_2 = 1 + i_e, u2−u1=5u_2 - u_1 = 5 dà ie=−0,5 Ai_e = -0{,}5\ \mathrm A, u1=5 Vu_1 = 5\ \mathrm V, u2=10 Vu_2 = 10\ \mathrm V.

Formula (Millman). Caso particolare frequentissimo: due soli nodi, collegati da tanti rami in parallelo, ciascuno fatto da un GIT EkE_k in serie a un resistore RkR_k (oppure solo da un resistore, Ek=0E_k = 0, o da un GIC JkJ_k). Con un nodo di riferimento resta un'unica equazione nodale, e la tensione tra i due nodi è

  V=∑kEkRk+∑Jk∑k1Rk  \boxed{\;V = \frac{\displaystyle\sum_k \frac{E_k}{R_k} + \sum J_k}{\displaystyle\sum_k \frac{1}{R_k}}\;}

(i rami con solo GIC non contano al denominatore). Da dove viene: ogni ramo EkE_k–RkR_k diventa un GIC Ek/RkE_k/R_k in parallelo a GkG_k; i GIC si sommano e le conduttanze si sommano; la tensione è "corrente totale diviso conduttanza totale". I segni: EkE_k con il ++ se il suo ++ è verso il nodo di cui si cerca il potenziale, JkJ_k con il ++ se la freccia entra in quel nodo.

Esempio. Due rami tra A e B, con il ++ verso A: E1=20 VE_1 = 20\ \mathrm V con R1=10 ΩR_1 = 10\ \Omega e E2=40 VE_2 = 40\ \mathrm V con R2=20 ΩR_2 = 20\ \Omega. Allora V=20/10+40/201/10+1/20=40,15≈26,7 VV = \frac{20/10 + 40/20}{1/10 + 1/20} = \frac{4}{0{,}15} \approx 26{,}7\ \mathrm V.

Metodo delle correnti di anello

Proprietà (correnti di lato e correnti di anello). La corrente vera di ogni lato si ottiene sommando le correnti di anello che lo attraversano:

  • lato di un solo anello (sul bordo esterno): ih=± iAri_h = \pm\, i_{Ar};
  • lato in comune tra due anelli adiacenti: ih=± (iAr−iAs)i_h = \pm\,(i_{Ar} - i_{As}). Con tutte le correnti nello stesso verso, due anelli vicini percorrono il lato comune in versi opposti: per questo compare una differenza.

Il segno è ++ se il riferimento di ihi_h è concorde con iAri_{Ar}, −- altrimenti.

Esempio. Con iA1=3 Ai_{A1} = 3\ \mathrm A e iA2=1 Ai_{A2} = 1\ \mathrm A nello stesso verso, il lato in comune ha corrente 3−1=2 A3 - 1 = 2\ \mathrm A e un lato esterno del primo anello ha 3 A3\ \mathrm A.

Formula (correnti di anello per ispezione). Per l'anello hh, con tutte le correnti di anello nello stesso verso:

  Rhh iAh−∑k≠hRhk iAk=eh  \boxed{\;R_{hh}\, i_{Ah} - \sum_{k \ne h} R_{hk}\, i_{Ak} = e_h\;}

  • autoresistenza RhhR_{hh}: somma di tutte le resistenze dell'anello hh;
  • mutua resistenza RhkR_{hk}: resistenza del lato (o dei lati) in comune tra gli anelli hh e kk;
  • tensione impressa di anello ehe_h: somma algebrica delle f.e.m. dei GIT dell'anello, con il ++ se, percorrendo l'anello nel verso di iAhi_{Ah}, si attraversa il GIT dal −- al ++ (il GIT "spinge" nel verso della corrente di anello), con il −- altrimenti.

Esempio. Anello 11: 10 Ω10\ \Omega esterno, 10 Ω10\ \Omega in comune e un GIT da 12 V12\ \mathrm V nel verso di iA1i_{A1}; anello 22: 20 Ω20\ \Omega esterno e lo stesso lato da 10 Ω10\ \Omega. Il sistema 20 iA1−10 iA2=1220\,i_{A1} - 10\,i_{A2} = 12, −10 iA1+30 iA2=0-10\,i_{A1} + 30\,i_{A2} = 0 dà iA1=0,72 Ai_{A1} = 0{,}72\ \mathrm A e iA2=0,24 Ai_{A2} = 0{,}24\ \mathrm A; nel lato in comune passano 0,48 A0{,}48\ \mathrm A.

VII. Teoremi delle reti

Principio di sovrapposizione degli effetti

Proprietà (linearità delle reti resistive). Ogni incognita è quindi una combinazione lineare delle impresse, con coefficienti che dipendono solo dai resistori e dai collegamenti. Con rr GIT e ss GIC, per una generica tensione vhv_h:

vh=αh1e1+⋯+αhrer+ρh1j1+⋯+ρhsjsv_h = \alpha_{h1} e_1 + \dots + \alpha_{hr} e_r + \rho_{h1} j_1 + \dots + \rho_{hs} j_s

Esempio. Se vh=0,5 e1+2 j1v_h = 0{,}5\,e_1 + 2\,j_1 (coefficienti 0,50{,}5 e 2 Ω2\ \Omega) con e1=10 Ve_1 = 10\ \mathrm V e j1=3 Aj_1 = 3\ \mathrm A, allora vh=5+6=11 Vv_h = 5 + 6 = 11\ \mathrm V.

Principio di sovrapposizione degli effetti.

  1. Si fa agire un solo generatore, spegnendo tutti gli altri, e si calcola la grandezza cercata (tensione o corrente) con i riferimenti fissati all'inizio.
  2. Si ripete per ogni generatore: ognuno agisce una e una sola volta.
  3. Si sommano i contributi, ciascuno con il suo segno.

Esempio. In una maglia con due GIT da 10 V10\ \mathrm V e 6 V6\ \mathrm V nello stesso verso e un resistore da 4 Ω4\ \Omega: con il solo primo i′=10/4=2,5 Ai' = 10/4 = 2{,}5\ \mathrm A, con il solo secondo i′′=6/4=1,5 Ai'' = 6/4 = 1{,}5\ \mathrm A, e i=i′+i′′=4 Ai = i' + i'' = 4\ \mathrm A, come 16/416/4.

Proprietà (le potenze non si sovrappongono). La potenza è un prodotto (p=v ip = v\,i o R i2R\,i^2), non una funzione lineare delle impresse. Con due contributi i′i' e i′′i'':

R (i′+i′′)2=R i′2+R i′′2+2R i′i′′≠R i′2+R i′′2R\,(i' + i'')^2 = R\,i'^2 + R\,i''^2 + 2R\,i' i'' \ne R\,i'^2 + R\,i''^2

Esempio. In un resistore da 1 Ω1\ \Omega un generatore da solo farebbe passare 2 A2\ \mathrm A e l'altro da solo 3 A3\ \mathrm A nello stesso verso. La corrente vera è 5 A5\ \mathrm A e la potenza 25 W25\ \mathrm W, non 4+9=13 W4 + 9 = 13\ \mathrm W.

Teorema di sostituzione

Teorema di sostituzione. Si considera una rete (resistori, GIT, GIC, ma vale anche con bipoli adinamici non lineari) che ha soluzione unica, e un suo bipolo bhb_h con tensione vhv_h e corrente ihi_h nella soluzione. Allora bhb_h si può sostituire:

  • con un GIC di corrente impressa jh=ihj_h = i_h (con lo stesso riferimento di ihi_h), oppure
  • con un GIT di tensione impressa eh=vhe_h = v_h (con lo stesso riferimento di vhv_h),

e tutte le altre tensioni e correnti della rete restano le stesse, a condizione che anche la rete modificata abbia soluzione unica.

Esempio. Un GIT da 12 V12\ \mathrm V su un resistore da 4 Ω4\ \Omega dà i=3 Ai = 3\ \mathrm A e v=12 Vv = 12\ \mathrm V: sostituendo il resistore con un GIC da j=3 Aj = 3\ \mathrm A la tensione ai suoi capi resta 12 V12\ \mathrm V.

Teoremi di Thévenin e di Norton

Teorema di Thévenin. Ipotesi. Una rete resistiva lineare (resistori, GIT, GIC) accessibile solo dai morsetti 1 e 1', per la quale sia possibile il funzionamento a vuoto (morsetti aperti).

Tesi. Vista dalla porta 1–1', la rete equivale alla serie di un GIT e di un resistore, con

  • f.e.m. eeq=v0e_{eq} = v_0: la tensione a vuoto ai morsetti, con il ++ del GIT dalla parte del ++ di v0v_0;
  • resistenza ReqR_{eq}: la resistenza interna, cioè la resistenza vista dai morsetti dopo aver spento tutti i generatori indipendenti della rete (GIT →\to cortocircuiti, GIC →\to circuiti aperti).

Con la convenzione del generatore alla porta (corrente ii uscente dal morsetto con il ++ di vv):

  v=v0−Req i  \boxed{\;v = v_0 - R_{eq}\, i\;}

Esempio. Un GIT da 12 V12\ \mathrm V in serie a R1=6 ΩR_1 = 6\ \Omega, con R2=6 ΩR_2 = 6\ \Omega ai morsetti: v0=12⋅612=6 Vv_0 = 12 \cdot \frac{6}{12} = 6\ \mathrm V e Req=6∥6=3 ΩR_{eq} = 6 \parallel 6 = 3\ \Omega. Un carico da 3 Ω3\ \Omega assorbe i=63+3=1 Ai = \frac{6}{3 + 3} = 1\ \mathrm A.

Formula (resistenza equivalente di Thévenin: tre modi di calcolarla).

  1. Generatori spenti, serie e parallelo. Il modo più usato: si spengono i generatori indipendenti e si calcola la resistenza equivalente vista dai morsetti, come in Resistenza equivalente e trasformazione stella-triangoloUna rete di soli resistori passivi vista da due morsetti A e B equivale a un unico resistore R_eq. Si calcola riducendo la rete con serie e parallelo, partendo dalla parte più lontana dai morsetti. Quando serie e parallelo non bastano (ponti), si usa la trasformazione triangolo→stella (R_A = R_AB·R_CA / somma) o stella→triangolo (R_AB = (R_A R_B + R_B R_C + R_C R_A)/R_C). Con tre resistori uguali R_Δ = 3 R_Y.Resistenza equivalente e trasformazione stella-triangolo →.
  2. Rapporto v0/iccv_0 / i_cc. Se è possibile anche il cortocircuito: con v=0v = 0 la formula dà 0=v0−Req icc0 = v_0 - R_{eq}\, i_{cc}, cioè Req=v0iccR_{eq} = \frac{v_0}{i_{cc}} dove icci_{cc} è la corrente di cortocircuito, uscente dal morsetto ++.
  3. Generatore di prova. Generatori interni spenti, si applica ai morsetti un GIT (o un GIC) di prova e si calcola il rapporto tensione/corrente. Indispensabile quando nella rete ci sono generatori pilotati (doppi bipoli).

Esempio. Se v0=6 Vv_0 = 6\ \mathrm V e in cortocircuito scorre icc=2 Ai_{cc} = 2\ \mathrm A, allora Req=v0/icc=6/2=3 ΩR_{eq} = v_0/i_{cc} = 6/2 = 3\ \Omega.

Teorema di Norton. Ipotesi. Come sopra, ma deve essere possibile il funzionamento in cortocircuito.

Tesi. Vista dalla porta 1–1', la rete equivale al parallelo di un GIC e di un resistore, con

  • corrente impressa jeq=iccj_{eq} = i_{cc}: la corrente di cortocircuito, con la freccia del GIC orientata come icci_{cc};
  • conduttanza Geq=1/ReqG_{eq} = 1/R_{eq}: la stessa resistenza interna di Thévenin.

  i=icc−Geq v  \boxed{\;i = i_{cc} - G_{eq}\, v\;}

Esempio. Con la stessa rete in cortocircuito icc=12/6=2 Ai_{cc} = 12/6 = 2\ \mathrm A e Geq=1/3 SG_{eq} = 1/3\ \mathrm S: un carico da 3 Ω3\ \Omega ha i=2−v3i = 2 - \frac{v}{3} e i=v3i = \frac{v}{3}, cioè v=3 Vv = 3\ \mathrm V e i=1 Ai = 1\ \mathrm A.

Teorema del massimo trasferimento di potenza

Formula (potenza ceduta a un carico resistivo). Corrente nella maglia e potenza sul carico:

i=eeqRi+Ru,P(Ru)=Ru i2=Ru eeq2(Ri+Ru)2i = \frac{e_{eq}}{R_i + R_u}, \qquad P(R_u) = R_u\, i^2 = \frac{R_u\, e_{eq}^2}{(R_i + R_u)^2}

Esempio. Con eeq=12 Ve_{eq} = 12\ \mathrm V, Ri=3 ΩR_i = 3\ \Omega e Ru=1 ΩR_u = 1\ \Omega: i=12/4=3 Ai = 12/4 = 3\ \mathrm A e P=1⋅32=9 WP = 1 \cdot 3^2 = 9\ \mathrm W.

Teorema del massimo trasferimento di potenza (adattamento del carico). Quindi il massimo è in

  Ru=Ri  ⟹  Pmax=Ri eeq2(2Ri)2=eeq24Ri  \boxed{\;R_u = R_i\;} \qquad\Longrightarrow\qquad \boxed{\;P_{max} = \frac{R_i\, e_{eq}^2}{(2R_i)^2} = \frac{e_{eq}^2}{4R_i}\;}

Esempio. eeq=12 Ve_{eq} = 12\ \mathrm V, Ri=3 ΩR_i = 3\ \Omega: il carico adattato è Ru=3 ΩR_u = 3\ \Omega, con i=2 Ai = 2\ \mathrm A e Pmax=122/12=12 WP_{max} = 12^2 / 12 = 12\ \mathrm W. Con Ru=1 ΩR_u = 1\ \Omega si avrebbe i=3 Ai = 3\ \mathrm A e P=9 WP = 9\ \mathrm W; con Ru=9 ΩR_u = 9\ \Omega, i=1 Ai = 1\ \mathrm A e P=9 WP = 9\ \mathrm W. Entrambi meno di 12 W12\ \mathrm W.

Grafico interattivo: Potenza sul carico (W) in funzione di R_u (Ω), con e_eq = 12 V e R_i = 3 Ω: massimo 12 W per R_u = 3 Ω

VIII. Doppi bipoli e generatori pilotati

Doppi bipoli e loro rappresentazioni

Definizione (doppio bipolo ideale inerte). Un doppio bipolo adinamico si dice ideale inerte (o lineare tempo-invariante) se entrambe le equazioni sono lineari, omogenee e a coefficienti costanti. "Omogenee" vuol dire senza termine noto: se tutte le grandezze di una porta e dell'altra sono nulle, le equazioni sono soddisfatte. In pratica: dentro non ci sono generatori indipendenti (che darebbero un termine noto), ma solo resistori e generatori pilotati.

Esempio. Due resistori in una rete a L danno equazioni come v1=30 i1+10 i2v_1 = 30\,i_1 + 10\,i_2, lineari e omogenee: la rete è ideale inerte. Un GIT interno aggiungerebbe un termine noto e non lo sarebbe più.

Definizione (le sei rappresentazioni di un doppio bipolo).

Rappresentazione Indipendenti Dipendenti Matrice Equazioni
controllata in corrente i1,i2i_1, i_2 v1,v2v_1, v_2 [R][R], resistenza v1=R11i1+R12i2v_1 = R_{11} i_1 + R_{12} i_2,  v2=R21i1+R22i2\ v_2 = R_{21} i_1 + R_{22} i_2
controllata in tensione v1,v2v_1, v_2 i1,i2i_1, i_2 [G][G], conduttanza i1=G11v1+G12v2i_1 = G_{11} v_1 + G_{12} v_2,  i2=G21v1+G22v2\ i_2 = G_{21} v_1 + G_{22} v_2
ibrida 1 i1,v2i_1, v_2 v1,i2v_1, i_2 [h][h] v1=h11i1+h12v2v_1 = h_{11} i_1 + h_{12} v_2,  i2=h21i1+h22v2\ i_2 = h_{21} i_1 + h_{22} v_2
ibrida 2 v1,i2v_1, i_2 i1,v2i_1, v_2 [g][g] i1=g11v1+g12i2i_1 = g_{11} v_1 + g_{12} i_2,  v2=g21v1+g22i2\ v_2 = g_{21} v_1 + g_{22} i_2
trasmissione 1 v2,−i2v_2, -i_2 v1,i1v_1, i_1 [T][T] v1=Av2−Bi2v_1 = A v_2 - B i_2,  i1=Cv2−Di2\ i_1 = C v_2 - D i_2
trasmissione 2 v1,i1v_1, i_1 v2,−i2v_2, -i_2 [T′][T'] v2=A′v1+B′i1v_2 = A' v_1 + B' i_1,  −i2=C′v1+D′i1\ -i_2 = C' v_1 + D' i_1

Esempio. Per la rete a L con Ra=20 ΩR_a = 20\ \Omega e Rc=10 ΩR_c = 10\ \Omega: v1=30 i1+10 i2v_1 = 30\,i_1 + 10\,i_2 e v2=10 i1+10 i2v_2 = 10\,i_1 + 10\,i_2; con i1=1 Ai_1 = 1\ \mathrm A e i2=0i_2 = 0 si ha v1=30 Vv_1 = 30\ \mathrm V e v2=10 Vv_2 = 10\ \mathrm V.

Formula (legami tra le rappresentazioni). Legami tra le rappresentazioni. Quando le matrici sono invertibili:

[G]=[R]−1,[g]=[h]−1,[T′]=[T]−1[G] = [R]^{-1}, \qquad [g] = [h]^{-1}, \qquad [T'] = [T]^{-1}

Esempio. [R]=[30101010] Ω[R] = \begin{bmatrix} 30 & 10 \\ 10 & 10 \end{bmatrix}\ \Omega ha determinante 300−100=200300 - 100 = 200, quindi [G]=[R]−1=1200[10−10−1030] S[G] = [R]^{-1} = \frac{1}{200}\begin{bmatrix} 10 & -10 \\ -10 & 30 \end{bmatrix}\ \mathrm S.

Formula (parametri della matrice R). Matrice [R][R] (si annullano le correnti, cioè porte a vuoto):

R11=v1i1∣i2=0,R21=v2i1∣i2=0,R12=v1i2∣i1=0,R22=v2i2∣i1=0R_{11} = \left.\frac{v_1}{i_1}\right|_{i_2 = 0}, \quad R_{21} = \left.\frac{v_2}{i_1}\right|_{i_2 = 0}, \quad R_{12} = \left.\frac{v_1}{i_2}\right|_{i_1 = 0}, \quad R_{22} = \left.\frac{v_2}{i_2}\right|_{i_1 = 0}

Esempio. Con la porta 2 aperta (i2=0i_2 = 0) e i1=2 Ai_1 = 2\ \mathrm A si misurano v1=60 Vv_1 = 60\ \mathrm V e v2=20 Vv_2 = 20\ \mathrm V: R11=60/2=30 ΩR_{11} = 60/2 = 30\ \Omega e R21=20/2=10 ΩR_{21} = 20/2 = 10\ \Omega.

Formula (parametri della matrice G). Matrice [G][G] (si annullano le tensioni, cioè porte in cortocircuito):

G11=i1v1∣v2=0,G21=i2v1∣v2=0,G12=i1v2∣v1=0,G22=i2v2∣v1=0G_{11} = \left.\frac{i_1}{v_1}\right|_{v_2 = 0}, \quad G_{21} = \left.\frac{i_2}{v_1}\right|_{v_2 = 0}, \quad G_{12} = \left.\frac{i_1}{v_2}\right|_{v_1 = 0}, \quad G_{22} = \left.\frac{i_2}{v_2}\right|_{v_1 = 0}

Esempio. Con la porta 2 in cortocircuito e v1=20 Vv_1 = 20\ \mathrm V si misurano i1=1 Ai_1 = 1\ \mathrm A e i2=−1 Ai_2 = -1\ \mathrm A: G11=0,05 SG_{11} = 0{,}05\ \mathrm S e G21=−0,05 SG_{21} = -0{,}05\ \mathrm S.

Formula (parametri della matrice di trasmissione T). Matrice [T][T] (si agisce sempre sulla porta 2, una volta a vuoto e una volta in cortocircuito):

A=v1v2∣i2=0,C=i1v2∣i2=0,B=v1−i2∣v2=0,D=i1−i2∣v2=0A = \left.\frac{v_1}{v_2}\right|_{i_2 = 0}, \quad C = \left.\frac{i_1}{v_2}\right|_{i_2 = 0}, \quad B = \left.\frac{v_1}{-i_2}\right|_{v_2 = 0}, \quad D = \left.\frac{i_1}{-i_2}\right|_{v_2 = 0}

Esempio. A porta 2 aperta con i1=1 Ai_1 = 1\ \mathrm A si misurano v1=30 Vv_1 = 30\ \mathrm V e v2=10 Vv_2 = 10\ \mathrm V: A=30/10=3A = 30/10 = 3 e C=1/10=0,1 SC = 1/10 = 0{,}1\ \mathrm S.

Definizione (doppio bipolo reciproco). Un doppio bipolo è reciproco se

R12=R21R_{12} = R_{21}

Esempio. La rete a L ha R12=R21=10 ΩR_{12} = R_{21} = 10\ \Omega: con i1=1 Ai_1 = 1\ \mathrm A a porta 2 aperta compaiono 10 V10\ \mathrm V sulla porta 2, con i2=1 Ai_2 = 1\ \mathrm A a porta 1 aperta compaiono 10 V10\ \mathrm V sulla porta 1.

Proprietà (reciprocità e simmetria nelle varie rappresentazioni).

Matrice Reciproco Simmetrico (in più)
[R][R] R12=R21R_{12} = R_{21} R11=R22R_{11} = R_{22}
[G][G] G12=G21G_{12} = G_{21} G11=G22G_{11} = G_{22}
[h][h] h12=−h21h_{12} = -h_{21} h11h22−h12h21=1h_{11} h_{22} - h_{12} h_{21} = 1
[g][g] g12=−g21g_{12} = -g_{21} g11g22−g12g21=1g_{11} g_{22} - g_{12} g_{21} = 1
[T][T] AD−BC=1AD - BC = 1 A=DA = D
[T′][T'] A′D′−B′C′=1A'D' - B'C' = 1 A′=D′A' = D'

Esempio. Per [T][T] della rete a L: AD−BC=3⋅1−20⋅0,1=1AD - BC = 3 \cdot 1 - 20 \cdot 0{,}1 = 1, quindi è reciproca; A=3≠D=1A = 3 \ne D = 1, quindi non è simmetrica.

Definizione (doppio bipolo simmetrico). Un doppio bipolo è simmetrico se si possono scambiare le due porte senza che nulla cambi. Con [R][R]: R11=R22R_{11} = R_{22} e R12=R21R_{12} = R_{21}. Un doppio bipolo simmetrico è quindi anche reciproco; non vale il contrario (la rete a L è reciproca ma non simmetrica: R11=30≠R22=10R_{11} = 30 \ne R_{22} = 10).

Esempio. Con R11=R22=25 ΩR_{11} = R_{22} = 25\ \Omega e R12=R21=5 ΩR_{12} = R_{21} = 5\ \Omega il doppio bipolo è simmetrico; la rete a L, con R11=30 Ω≠R22=10 ΩR_{11} = 30\ \Omega \ne R_{22} = 10\ \Omega, no.

Definizione (doppio bipolo passivo e condizioni sulla matrice R). Il doppio bipolo è passivo se la potenza totale entrante non è mai negativa:

p=v1i1+v2i2≥0per ogni i1,i2p = v_1 i_1 + v_2 i_2 \ge 0 \quad \text{per ogni } i_1, i_2

Sostituendo v1v_1 e v2v_2 dalla rappresentazione [R][R]:

p=R11i12+(R12+R21) i1i2+R22i22p = R_{11} i_1^2 + (R_{12} + R_{21})\, i_1 i_2 + R_{22} i_2^2

è una forma quadratica in i1,i2i_1, i_2. Deve essere ≥0\ge 0 per ogni coppia: si dice semidefinita positiva. Per una forma in due variabili questo succede se e solo se

R11≥0,R22≥0,R11R22≥(R12+R212)2R_{11} \ge 0, \qquad R_{22} \ge 0, \qquad R_{11} R_{22} \ge \left( \frac{R_{12} + R_{21}}{2} \right)^2

Esempio. Per la rete a L: R11=30≥0R_{11} = 30 \ge 0, R22=10≥0R_{22} = 10 \ge 0 e 30⋅10=300≥(10+102)2=10030 \cdot 10 = 300 \ge \left(\frac{10 + 10}{2}\right)^2 = 100, quindi è passiva.

Proprietà (serie, parallelo e cascata di doppi bipoli).

Collegamento Cosa hanno in comune i due doppi bipoli Matrice equivalente
serie le correnti delle porte omologhe (1A con 1B, 2A con 2B) [Rs]=[RA]+[RB][R_s] = [R_A] + [R_B]
parallelo le tensioni delle porte omologhe [Gp]=[GA]+[GB][G_p] = [G_A] + [G_B]
cascata la porta 2 di A è collegata alla porta 1 di B [Tc]=[TA] [TB][T_c] = [T_A]\,[T_B]

Esempio. Due doppi bipoli con [RA]=[30101010] Ω[R_A] = \begin{bmatrix} 30 & 10 \\ 10 & 10 \end{bmatrix}\ \Omega e [RB]=[5005] Ω[R_B] = \begin{bmatrix} 5 & 0 \\ 0 & 5 \end{bmatrix}\ \Omega collegati in serie hanno [Rs]=[35101015] Ω[R_s] = \begin{bmatrix} 35 & 10 \\ 10 & 15 \end{bmatrix}\ \Omega.

Formula (cascata di doppi bipoli: prodotto delle matrici T). Cascata. La porta 2 di A alimenta la porta 1 di B: vA2=vB1v_{A2} = v_{B1} e la corrente che esce da A (−iA2-i_{A2}) è quella che entra in B (iB1i_{B1}). Quindi il vettore (vA2,−iA2)(v_{A2}, -i_{A2}) di A coincide con il vettore (vB1,iB1)(v_{B1}, i_{B1}) di B, e

[vA1iA1]=[TA][vA2−iA2]=[TA][vB1iB1]=[TA][TB][vB2−iB2]\begin{bmatrix} v_{A1} \\ i_{A1} \end{bmatrix} = [T_A] \begin{bmatrix} v_{A2} \\ -i_{A2} \end{bmatrix} = [T_A] \begin{bmatrix} v_{B1} \\ i_{B1} \end{bmatrix} = [T_A][T_B] \begin{bmatrix} v_{B2} \\ -i_{B2} \end{bmatrix}

Esempio. La rete a L è la cascata di un resistore in serie RaR_a ([Ta]=[1Ra01][T_a] = \begin{bmatrix} 1 & R_a \\ 0 & 1 \end{bmatrix}) e di un resistore in parallelo RcR_c ([Tc]=[101/Rc1][T_c] = \begin{bmatrix} 1 & 0 \\ 1/R_c & 1 \end{bmatrix}):

Formula (sintesi a stella o a T). Tre resistori: RaR_a sul ramo della porta 1, RbR_b sul ramo della porta 2, RcR_c sul ramo comune verso i morsetti 1' e 2'. In RcR_c passa i1+i2i_1 + i_2, quindi

v1=(Ra+Rc) i1+Rc i2,v2=Rc i1+(Rb+Rc) i2v_1 = (R_a + R_c)\, i_1 + R_c\, i_2, \qquad v_2 = R_c\, i_1 + (R_b + R_c)\, i_2

Confrontando con [R][R]:

Ra=R11−R12,Rb=R22−R21,Rc=R12=R21\boxed{R_a = R_{11} - R_{12}, \qquad R_b = R_{22} - R_{21}, \qquad R_c = R_{12} = R_{21}}

Esempio. Con R11=R22=25 ΩR_{11} = R_{22} = 25\ \Omega e R12=R21=5 ΩR_{12} = R_{21} = 5\ \Omega: Ra=Rb=25−5=20 ΩR_a = R_b = 25 - 5 = 20\ \Omega e Rc=5 ΩR_c = 5\ \Omega.

Formula (sintesi a triangolo o a Π). Tre conduttanze: GaG_a in parallelo alla porta 1, GbG_b in parallelo alla porta 2, GcG_c tra i due morsetti superiori. Con vc=v1−v2v_c = v_1 - v_2:

i1=(Ga+Gc) v1−Gc v2,i2=−Gc v1+(Gb+Gc) v2i_1 = (G_a + G_c)\, v_1 - G_c\, v_2, \qquad i_2 = -G_c\, v_1 + (G_b + G_c)\, v_2

Ga=G11+G12,Gb=G22+G21,Gc=−G12=−G21\boxed{G_a = G_{11} + G_{12}, \qquad G_b = G_{22} + G_{21}, \qquad G_c = -G_{12} = -G_{21}}

Esempio. Con G11=G22=0,25 SG_{11} = G_{22} = 0{,}25\ \mathrm S e G12=G21=−0,05 SG_{12} = G_{21} = -0{,}05\ \mathrm S: Ga=Gb=0,25−0,05=0,2 SG_a = G_b = 0{,}25 - 0{,}05 = 0{,}2\ \mathrm S e Gc=0,05 SG_c = 0{,}05\ \mathrm S.

Generatori pilotati e trasformatore ideale

Definizione (i quattro generatori pilotati).

Nome Porta 1 Porta 2 Coefficiente Rappresentazione
GTPT: tensione pilotata in tensione aperta: i1=0i_1 = 0 v2=α v1v_2 = \alpha\, v_1 α\alpha adimensionale (guadagno di tensione) ibrida 2: [g]=[00α0][g] = \begin{bmatrix} 0 & 0 \\ \alpha & 0 \end{bmatrix}
GTPC: tensione pilotata in corrente corto: v1=0v_1 = 0 v2=r i1v_2 = r\, i_1 rr in ohm (transresistenza) [R]=[00r0][R] = \begin{bmatrix} 0 & 0 \\ r & 0 \end{bmatrix}
GCPT: corrente pilotata in tensione aperta: i1=0i_1 = 0 i2=g v1i_2 = g\, v_1 gg in siemens (transconduttanza) [G]=[00g0][G] = \begin{bmatrix} 0 & 0 \\ g & 0 \end{bmatrix}
GCPC: corrente pilotata in corrente corto: v1=0v_1 = 0 i2=β i1i_2 = \beta\, i_1 β\beta adimensionale (guadagno di corrente) ibrida 1: [h]=[00β0][h] = \begin{bmatrix} 0 & 0 \\ \beta & 0 \end{bmatrix}

Esempio. Un GTPT con α=3\alpha = 3 pilotato dalla tensione v1=2 Vv_1 = 2\ \mathrm V di un resistore impone v2=3⋅2=6 Vv_2 = 3 \cdot 2 = 6\ \mathrm V; un GCPC con β=100\beta = 100 e i1=20 μAi_1 = 20\ \mu\mathrm A impone i2=2 mAi_2 = 2\ \mathrm{mA}.

Definizione (trasformatore ideale). Il trasformatore ideale ha simbolo con due bobine e l'indicazione n:1n:1. Con la convenzione dell'utilizzatore a entrambe le porte e i ++ sui morsetti contrassegnati:

  v1=n v2,i1=−1n i2  \boxed{\;v_1 = n\, v_2, \qquad i_1 = -\frac{1}{n}\, i_2\;}

nn è il rapporto di trasformazione (reale, adimensionale, preso positivo con i ++ disegnati sui morsetti giusti). Le relazioni valgono istante per istante, anche con grandezze costanti. Un trasformatore reale, basato sull'induzione, funziona solo con grandezze variabili (in particolare sinusoidali); per le grandezze costanti esistono i convertitori elettronici dc/dc, che si comportano in modo simile.

Esempio. Con n=10n = 10, v2=12 Vv_2 = 12\ \mathrm V e i2=−5 Ai_2 = -5\ \mathrm A (uscente dalla porta 2) si ha v1=10⋅12=120 Vv_1 = 10 \cdot 12 = 120\ \mathrm V e i1=−−510=0,5 Ai_1 = -\frac{-5}{10} = 0{,}5\ \mathrm A.

Proprietà (il trasformatore ideale non assorbe potenza). Potenza nulla in ogni istante:

p=v1i1+v2i2=(nv2)(−i2n)+v2i2=−v2i2+v2i2=0p = v_1 i_1 + v_2 i_2 = (n v_2)\left(-\frac{i_2}{n}\right) + v_2 i_2 = -v_2 i_2 + v_2 i_2 = 0

La potenza che entra da una porta esce tutta dall'altra, senza perdite: il trasformatore ideale è "trasparente" alla potenza. Essendo p=0≥0p = 0 \ge 0, è passivo.

Esempio. Con n=10n = 10, v2=12 Vv_2 = 12\ \mathrm V e i2=−5 Ai_2 = -5\ \mathrm A: v1i1+v2i2=120⋅0,5+12⋅(−5)=60−60=0 Wv_1 i_1 + v_2 i_2 = 120 \cdot 0{,}5 + 12 \cdot (-5) = 60 - 60 = 0\ \mathrm W.

Formula (resistenza vista dalla porta 1 di un trasformatore ideale). Trasferimento di resistenza. Un resistore R2R_2 collegato alla porta 2 con la sua convenzione dell'utilizzatore ha corrente i2′=−i2i_2' = -i_2 e tensione v2=R2i2′=−R2i2v_2 = R_2 i_2' = -R_2 i_2. Dalla porta 1:

v1=nv2=−nR2i2=−nR2(−n i1)=n2R2 i1v_1 = n v_2 = -n R_2 i_2 = -n R_2 (-n\, i_1) = n^2 R_2\, i_1

(perché i2=−n i1i_2 = -n\, i_1). Visto dalla porta 1 il trasformatore chiuso su R2R_2 è un resistore

R1eq=n2R2\boxed{R_{1eq} = n^2 R_2}

Esempio. Con n=10n = 10 e un carico R2=8 ΩR_2 = 8\ \Omega alla porta 2, il generatore alla porta 1 vede R1eq=n2R2=100⋅8=800 ΩR_{1eq} = n^2 R_2 = 100 \cdot 8 = 800\ \Omega.

Reti con generatori pilotati

Proprietà (sovrapposizione e teoremi di Thévenin e Norton con i pilotati).

  1. Vale la sovrapposizione, facendo agire uno alla volta i generatori indipendenti. I generatori pilotati non compaiono nel vettore dei termini noti, quindi restano sempre accesi, insieme ai resistori.
  2. Valgono Thévenin e Norton, ma la resistenza equivalente va calcolata in un altro modo (sotto).

Esempio. Un GIT e un GIC alimentano una rete con un pilotato: l'effetto del solo GIT (GIC aperto) è i′=1 Ai' = 1\ \mathrm A, quello del solo GIC (GIT in cortocircuito) è i′′=0,5 Ai'' = 0{,}5\ \mathrm A, con il pilotato sempre acceso; in totale i=1,5 Ai = 1{,}5\ \mathrm A.

Proprietà (la porta 1 del pilotato non si scrive). La porta 1 di un pilotato è un cortocircuito o un circuito aperto che coincide con un lato già presente (il filo in cui scorre la corrente di controllo, o i due nodi tra cui si misura la tensione di controllo). Non serve aggiungerla: basta usare la sua grandezza, che è già una grandezza della rete.

Esempio. Con e=6 Ve = 6\ \mathrm V, R1=3 ΩR_1 = 3\ \Omega e un GTPC con r=2 Ωr = 2\ \Omega: i2=6/3=2 Ai_2 = 6/3 = 2\ \mathrm A e v4=r i2=4 Vv_4 = r\,i_2 = 4\ \mathrm V, senza scrivere la porta 1.

Principio (metodo generale per le reti con generatori pilotati).

  1. Trattare il pilotato come un generatore indipendente del suo tipo (GIT se impone una tensione, GIC se impone una corrente) e scrivere le equazioni con il metodo scelto (nodi, anelli, Kirchhoff).
  2. Aggiungere l'equazione di controllo: esprimere la grandezza di controllo (VR2V_{R2}, IxI_x, …) con le incognite del metodo (potenziali di nodo o correnti di anello).
  3. Sostituire e risolvere.

Esempio. Un nodo con un resistore da 10 Ω10\ \Omega verso massa, un GIC entrante da 2 A2\ \mathrm A e un GCPT con g=0,05 Sg = 0{,}05\ \mathrm S pilotato dalla tensione u1u_1 dello stesso nodo che immette la corrente g u1g\,u_1: la LKC dà 0,1 u1=2+0,05 u10{,}1\,u_1 = 2 + 0{,}05\,u_1, cioè u1=40 Vu_1 = 40\ \mathrm V.

Formula (resistenza equivalente con il generatore di prova). 1. Generatore di prova. Si spengono i generatori indipendenti (GIT →\to cortocircuito, GIC →\to aperto), i pilotati restano. Si collega alla porta un generatore di prova:

  • un GIT E∗=V∗E^* = V^*, e si calcola la corrente I∗I^* che entra nella rete;
  • oppure un GIC J∗=I∗J^* = I^*, e si calcola la tensione V∗V^*.

Con V∗V^* e I∗I^* in convenzione dell'utilizzatore per la rete (la corrente entra dal ++):

Req=V∗I∗R_{eq} = \frac{V^*}{I^*}

Esempio. Un resistore da 10 Ω10\ \Omega in parallelo a un GCPT che, con g=0,05 Sg = 0{,}05\ \mathrm S, porta alla porta la corrente g V∗g\,V^* in verso opposto a I∗I^*: I∗=V∗/10−0,05 V∗=0,05 V∗I^* = V^*/10 - 0{,}05\,V^* = 0{,}05\,V^*, quindi Req=V∗/I∗=20 ΩR_{eq} = V^*/I^* = 20\ \Omega, maggiore di 10 Ω10\ \Omega.

Formula (resistenza equivalente dal rapporto tra tensione a vuoto e corrente di cortocircuito). 2. Tensione a vuoto e corrente di cortocircuito. Se la rete funziona sia a vuoto sia in cortocircuito, con i generatori indipendenti accesi:

Req=v0iccR_{eq} = \frac{v_0}{i_{cc}}

con v0v_0 e icci_{cc} nella convenzione del generatore (la corrente di cortocircuito esce dal morsetto con il ++ di v0v_0). È comodo quando v0v_0 serve comunque per Thévenin. Non funziona se la rete non ha generatori indipendenti (verrebbe 0/00/0): lì resta solo il generatore di prova.

Esempio. Con v0=8 Vv_0 = 8\ \mathrm V e icc=2 Ai_{cc} = 2\ \mathrm A si ha Req=8/2=4 ΩR_{eq} = 8/2 = 4\ \Omega.

IX. Componenti dinamici

Condensatore

Definizione (condensatore ideale: capacità e legge costitutiva). Se la geometria non cambia e il dielettrico è lineare, la carica sull'armatura A è proporzionale alla tensione:

q(t)=C v(t)q(t) = C\, v(t)

La costante positiva CC è la capacità. Si misura in farad (1 F=1 C/V1\ \mathrm F = 1\ \mathrm C / \mathrm V). Un farad è enorme: in pratica si usano mF\mathrm{mF}, μF=10−6 F\mu\mathrm F = 10^{-6}\ \mathrm F, nF=10−9 F\mathrm{nF} = 10^{-9}\ \mathrm F, pF=10−12 F\mathrm{pF} = 10^{-12}\ \mathrm F.

La corrente che entra dal terminale A è la rapidità con cui cresce la carica su A: i=dqdti = \frac{dq}{dt}. Sostituendo q=Cvq = Cv, con la convenzione dell'utilizzatore:

  i(t)=C dv(t)dt  \boxed{\;i(t) = C\,\frac{dv(t)}{dt}\;}

Esempio. Su C=1 μFC = 1\ \mu\mathrm F una tensione che cresce di 1 V1\ \mathrm V ogni millisecondo (dv/dt=103 V/sdv/dt = 10^{3}\ \mathrm{V/s}) dà i=10−6⋅103=1 mAi = 10^{-6} \cdot 10^{3} = 1\ \mathrm{mA}; a tensione costante i=0i = 0.

Formula (memoria del condensatore). Integrando l'equazione si esprime la tensione in funzione della corrente:

v(t)=v(t0)+1C∫t0ti(τ) dτv(t) = v(t_0) + \frac{1}{C} \int_{t_0}^{t} i(\tau)\, d\tau

Esempio. Con C=2 μFC = 2\ \mu\mathrm F, v(0)=1 Vv(0) = 1\ \mathrm V e una corrente costante i=4 μAi = 4\ \mu\mathrm A per 1 s1\ \mathrm s: v=1+4⋅10−6⋅12⋅10−6=3 Vv = 1 + \frac{4 \cdot 10^{-6} \cdot 1}{2 \cdot 10^{-6}} = 3\ \mathrm V.

Proprietà (continuità della tensione del condensatore). Se la corrente è limitata, la tensione è continua. Infatti tra un istante appena prima (t0−t_0^-) e uno appena dopo (t0+t_0^+):

v(t0+)=v(t0−)+1C∫t0−t0+i(τ) dτ  ⟶  v(t0−)v(t_0^+) = v(t_0^-) + \frac{1}{C} \int_{t_0^-}^{t_0^+} i(\tau)\, d\tau \;\longrightarrow\; v(t_0^-)

perché l'integrale di una funzione limitata su un intervallo che tende a zero tende a zero. In parole: per far saltare di colpo la tensione bisognerebbe portare una quantità finita di carica in un tempo nullo, cioè una corrente infinita.

Esempio. Una corrente a onda quadra (+i1+i_1 e −i1-i_1 alternati, ogni volta per lo stesso tempo) su un condensatore inizialmente scarico. Dove i>0i > 0 la tensione cresce linearmente (pendenza i1/Ci_1/C), dove i<0i < 0 decresce: la tensione è un'onda triangolare, continua anche negli istanti in cui la corrente salta.

Grafico interattivo: Tensione (normalizzata) su un condensatore alimentato da un'onda quadra di corrente

Formula (energia immagazzinata nel condensatore). Il risultato dipende solo dalla tensione finale, non da come ci si è arrivati. Se poi il condensatore torna scarico (v3=0v_3 = 0), il lavoro totale da t1t_1 a t3t_3 è 12C⋅0−0=0\frac12 C \cdot 0 - 0 = 0: tutto il lavoro entrato è stato restituito, senza perdite. Non è stato dissipato ma immagazzinato, come energia del campo elettrico:

  WC(t)=12 C v2(t)  [J]\boxed{\;W_C(t) = \frac12\, C\, v^2(t)\;} \quad [\mathrm J]

Esempio numerico. C=100 μFC = 100\ \mu\mathrm F caricato a v=20 Vv = 20\ \mathrm V: WC=12⋅10−4⋅400=0,02 JW_C = \frac12 \cdot 10^{-4} \cdot 400 = 0{,}02\ \mathrm J, e la carica è q=Cv=2 mCq = C v = 2\ \mathrm{mC}.

Formula (condensatori in parallelo). Parallelo (stessa tensione): le correnti si sommano, i=C1dvdt+C2dvdti = C_1 \frac{dv}{dt} + C_2 \frac{dv}{dt}, quindi

Cp=C1+C2+⋯+CNC_p = C_1 + C_2 + \dots + C_N

Esempio. C1=10 μFC_1 = 10\ \mu\mathrm F e C2=22 μFC_2 = 22\ \mu\mathrm F in parallelo danno Cp=32 μFC_p = 32\ \mu\mathrm F.

Formula (condensatori in serie). Serie (stessa corrente): le tensioni si sommano, v=v1(t0)+v2(t0)+(1C1+1C2)∫i dτv = v_1(t_0) + v_2(t_0) + \left(\frac{1}{C_1} + \frac{1}{C_2}\right) \int i\, d\tau, quindi

1Cs=1C1+1C2+⋯+1CN,Cs=C1C2C1+C2 (due condensatori)\frac{1}{C_s} = \frac{1}{C_1} + \frac{1}{C_2} + \dots + \frac{1}{C_N}, \qquad C_s = \frac{C_1 C_2}{C_1 + C_2} \ \text{(due condensatori)}

Esempio. Due condensatori da 10 μF10\ \mu\mathrm F in serie danno Cs=10⋅1010+10=5 μFC_s = \frac{10 \cdot 10}{10 + 10} = 5\ \mu\mathrm F.

Formula (capacità di un condensatore piano). Capacità di un condensatore piano. Armature di area SS a distanza dd, dielettrico lineare omogeneo con permittività ε=εrε0\varepsilon = \varepsilon_r \varepsilon_0 (ε0=8,85⋅10−12 F/m\varepsilon_0 = 8{,}85 \cdot 10^{-12}\ \mathrm F/\mathrm m):

C=εSdC = \frac{\varepsilon S}{d}

Esempio. Armature di area S=100 cm2=10−2 m2S = 100\ \mathrm{cm^2} = 10^{-2}\ \mathrm{m^2} a d=1 mmd = 1\ \mathrm{mm} nel vuoto: C=8,85⋅10−12⋅10−210−3=8,85⋅10−11 F≈88,5 pFC = 8{,}85 \cdot 10^{-12} \cdot \frac{10^{-2}}{10^{-3}} = 8{,}85 \cdot 10^{-11}\ \mathrm F \approx 88{,}5\ \mathrm{pF}.

Induttore

Definizione (induttore ideale: induttanza e legge costitutiva). Se la geometria non cambia e il nucleo è lineare, il flusso concatenato con l'avvolgimento è proporzionale alla corrente:

φ(t)=L i(t)\varphi(t) = L\, i(t)

La costante positiva LL è l'induttanza, in henry (1 H=1 Wb/A=1 V⋅s/A1\ \mathrm H = 1\ \mathrm{Wb}/\mathrm A = 1\ \mathrm{V \cdot s / A}). Valori tipici: da μH\mu\mathrm H (radiofrequenza) a qualche henry (con nucleo di ferro).

Se la corrente varia, varia il flusso e per la legge di Faraday-Neumann nasce una f.e.m. indotta. La tensione ai morsetti, con la convenzione dell'utilizzatore, è l'opposto della f.e.m. indotta, v=dφ/dtv = d\varphi/dt:

  v(t)=L di(t)dt  \boxed{\;v(t) = L\,\frac{di(t)}{dt}\;}

Esempio. Con L=10 mHL = 10\ \mathrm{mH} e una corrente che cresce di 1 A1\ \mathrm A in 1 ms1\ \mathrm{ms} (di/dt=103 A/sdi/dt = 10^{3}\ \mathrm{A/s}): v=10−2⋅103=10 Vv = 10^{-2} \cdot 10^{3} = 10\ \mathrm V.

Formula (memoria dell'induttore). i(t)=i(t0)+1L∫t0tv(τ) dτi(t) = i(t_0) + \frac{1}{L} \int_{t_0}^{t} v(\tau)\, d\tau

La corrente dipende da tutta la storia della tensione, riassunta nella condizione iniziale i(t0)i(t_0).

Esempio. Con L=2 HL = 2\ \mathrm H, i(0)=1 Ai(0) = 1\ \mathrm A e una tensione costante v=4 Vv = 4\ \mathrm V per 1 s1\ \mathrm s: i=1+12⋅4⋅1=3 Ai = 1 + \frac{1}{2} \cdot 4 \cdot 1 = 3\ \mathrm A.

Proprietà (continuità della corrente dell'induttore). Se la tensione è limitata, la corrente è continua: i(t0+)=i(t0−)i(t_0^+) = i(t_0^-), perché l'integrale di una funzione limitata su un intervallo nullo è zero.

Nei transitori: la corrente dell'induttore subito dopo la manovra è uguale a quella subito prima, iL(0+)=iL(0−)i_L(0^+) = i_L(0^-). La tensione invece può saltare.

Esempio. In un induttore percorso da 2 A2\ \mathrm A scatta un interruttore: subito dopo la manovra iL(0+)=2 Ai_L(0^+) = 2\ \mathrm A, mentre la tensione ai suoi capi può saltare.

Formula (energia immagazzinata nell'induttore). Il lavoro dipende solo dalla corrente finale e viene restituito per intero quando la corrente torna a zero: è energia del campo magnetico immagazzinata,

  WL(t)=12 L i2(t)  [J]\boxed{\;W_L(t) = \frac12\, L\, i^2(t)\;} \quad [\mathrm J]

L'induttore è passivo, la potenza entrante è p=dWLdtp = \frac{d W_L}{dt} e la variabile di stato è la corrente.

Esempio numerico. L=50 mHL = 50\ \mathrm{mH} con i=4 Ai = 4\ \mathrm A: WL=12⋅0,05⋅16=0,4 JW_L = \frac12 \cdot 0{,}05 \cdot 16 = 0{,}4\ \mathrm J.

Formula (induttori in serie). Serie (stessa corrente, tensioni che si sommano): v=L1didt+L2didtv = L_1 \frac{di}{dt} + L_2 \frac{di}{dt}, quindi

Ls=L1+L2+⋯+LNL_s = L_1 + L_2 + \dots + L_N

Esempio. L1=10 mHL_1 = 10\ \mathrm{mH} e L2=15 mHL_2 = 15\ \mathrm{mH} in serie danno Ls=25 mHL_s = 25\ \mathrm{mH}.

Formula (induttori in parallelo). Parallelo (stessa tensione, correnti che si sommano): i=i1(t0)+i2(t0)+(1L1+1L2)∫v dτi = i_1(t_0) + i_2(t_0) + \left( \frac{1}{L_1} + \frac{1}{L_2} \right) \int v\, d\tau, quindi

1Lp=1L1+⋯+1LN,Lp=L1L2L1+L2 (due induttori)\frac{1}{L_p} = \frac{1}{L_1} + \dots + \frac{1}{L_N}, \qquad L_p = \frac{L_1 L_2}{L_1 + L_2}\ \text{(due induttori)}

Esempio. Due induttori da 10 mH10\ \mathrm{mH} in parallelo danno Lp=10⋅1020=5 mHL_p = \frac{10 \cdot 10}{20} = 5\ \mathrm{mH}.

Formule per geometrie semplici (μ=μrμ0\mu = \mu_r \mu_0, μ0=4π⋅10−7 H/m\mu_0 = 4\pi \cdot 10^{-7}\ \mathrm{H/m}, S=πa2S = \pi a^2 area di una spira):

  • toroide di raggio medio RR (sottile, a≪Ra \ll R):  L=μN2S2πR\ L = \dfrac{\mu N^2 S}{2\pi R};
  • solenoide di lunghezza hh (a≪ha \ll h):  L≈μN2Sh\ L \approx \dfrac{\mu N^2 S}{h}.

Esempio. Solenoide in aria con N=500N = 500, S=1 cm2S = 1\ \mathrm{cm^2} e h=10 cmh = 10\ \mathrm{cm}: L=4π⋅10−7⋅5002⋅10−40,1≈0,31 mHL = \frac{4\pi \cdot 10^{-7} \cdot 500^2 \cdot 10^{-4}}{0{,}1} \approx 0{,}31\ \mathrm{mH}.

X. Transitori del primo ordine

Regime variabile, istanti critici e condizioni iniziali

Proprietà (continuità delle variabili di stato). Nelle reti che si studiano normalmente, all'istante critico tutte le tensioni e correnti restano limitate (possono saltare di una quantità finita, ma non diventare infinite). Allora, per le proprietà viste:

  vC(0+)=vC(0−),iL(0+)=iL(0−)  \boxed{\;v_C(0^+) = v_C(0^-), \qquad i_L(0^+) = i_L(0^-)\;}

  • la tensione di ogni condensatore e la corrente di ogni induttore (le variabili di stato) sono continue;
  • tutte le altre grandezze possono saltare: la corrente del condensatore, la tensione dell'induttore, le tensioni e correnti dei resistori, dei generatori, degli interruttori.

Esempio. Con vC(0−)=6 Vv_C(0^-) = 6\ \mathrm V e iL(0−)=2 Ai_L(0^-) = 2\ \mathrm A prima della manovra, subito dopo si ha vC(0+)=6 Vv_C(0^+) = 6\ \mathrm V e iL(0+)=2 Ai_L(0^+) = 2\ \mathrm A, mentre la tensione sul resistore in serie può saltare.

Grafico interattivo: Carica di un condensatore con E = 10 V, interruttore chiuso in t = 0 (t in unità di T = RC): la tensione v_C, variabile di stato, è continua; la tensione v_R sul resistore salta da 0 a 10 V

Proprietà (condensatori collegati a tensioni diverse: si conserva la carica). Esempi di maglia capacitiva.

  • Un condensatore carico a V0V_0 viene collegato da un interruttore a un GIT E≠V0E \ne V_0: subito dopo la LKT impone vC=Ev_C = E, quindi la tensione salta.
  • Due condensatori carichi a V1≠V2V_1 \ne V_2 vengono collegati in parallelo. Le tensioni devono diventare uguali. Poiché la corrente che esce da uno entra nell'altro, la carica totale si conserva: C1V1+C2V2=(C1+C2)VfC_1 V_1 + C_2 V_2 = (C_1 + C_2) V_f, cioè

vC1(0+)=vC2(0+)=C1V1+C2V2C1+C2v_{C1}(0^+) = v_{C2}(0^+) = \frac{C_1 V_1 + C_2 V_2}{C_1 + C_2}

Dualmente, due induttori con correnti I1≠I2I_1 \ne I_2 messi in serie aprendo un interruttore si portano a L1I1+L2I2L1+L2\frac{L_1 I_1 + L_2 I_2}{L_1 + L_2} (si conserva il "flusso totale").

Esempio. C1=10 μFC_1 = 10\ \mu\mathrm F carico a V1=12 VV_1 = 12\ \mathrm V collegato in parallelo a C2=5 μFC_2 = 5\ \mu\mathrm F scarico: vC1(0+)=vC2(0+)=10⋅12+5⋅010+5=8 Vv_{C1}(0^+) = v_{C2}(0^+) = \frac{10 \cdot 12 + 5 \cdot 0}{10 + 5} = 8\ \mathrm V.

Definizione (gradino unitario). Il gradino unitario (funzione di Heaviside) vale

u(t)={0t<01t>0u(t) = \begin{cases} 0 & t < 0 \\ 1 & t > 0 \end{cases}

ed è non definito in t=0t = 0. u(t−t0)u(t - t_0) è lo stesso gradino spostato in t0t_0. Con il gradino si descrive un generatore che si accende in t=0t = 0: e(t)=E u(t)e(t) = E\, u(t).

Esempio. Un generatore da 5 V5\ \mathrm V che si accende in t=0t = 0 è e(t)=5 u(t)e(t) = 5\,u(t): vale 00 per t<0t < 0 e 5 V5\ \mathrm V per t>0t > 0.

Definizione (impulso unitario). L'impulso unitario (delta di Dirac) δ(t)\delta(t) è nullo per t≠0t \ne 0, "infinito" in t=0t = 0, con area unitaria: ∫−∞+∞δ(t) dt=1\int_{-\infty}^{+\infty} \delta(t)\, dt = 1. È la derivata del gradino: δ(t)=du(t)dt\delta(t) = \frac{d u(t)}{dt}.

Esempio. Un GIT E u(t)E\,u(t) con E=5 VE = 5\ \mathrm V su un condensatore scarico da 2 μF2\ \mu\mathrm F dà iC=CE δ(t)i_C = C E\,\delta(t), un impulso di area CE=10 μCCE = 10\ \mu\mathrm C.

Circuiti del primo ordine (RC e RL)

Formula (carica di un condensatore scarico attraverso un resistore, interruttore chiuso in t = 0).   vC(t)=E(1−e−t/RC),i(t)=CdvCdt=ER e−t/RC  (t>0)\boxed{\;v_C(t) = E\left(1 - e^{-t/RC}\right), \qquad i(t) = C\frac{dv_C}{dt} = \frac{E}{R}\, e^{-t/RC}\;} \qquad (t > 0)

Esempio. Con E=10 VE = 10\ \mathrm V, R=1 kΩR = 1\ \mathrm{k\Omega} e C=100 μFC = 100\ \mu\mathrm F si ha T=RC=0,1 sT = RC = 0{,}1\ \mathrm s: i(0+)=E/R=10 mAi(0^+) = E/R = 10\ \mathrm{mA} e vC(T)=10 (1−e−1)≈6,32 Vv_C(T) = 10\,(1 - e^{-1}) \approx 6{,}32\ \mathrm V.

Grafico interattivo: Carica: v_C / E in funzione di t / T

Formula (scarica di un condensatore attraverso un resistore).   vC(t)=V0 e−t/RC,i(t)=−V0R e−t/RC  \boxed{\;v_C(t) = V_0\, e^{-t/RC}, \qquad i(t) = -\frac{V_0}{R}\, e^{-t/RC}\;}

Esempio. Con V0=10 VV_0 = 10\ \mathrm V, R=1 kΩR = 1\ \mathrm{k\Omega} e C=100 μFC = 100\ \mu\mathrm F: i(0+)=−V0/R=−10 mAi(0^+) = -V_0/R = -10\ \mathrm{mA} e dopo 2T=0,2 s2T = 0{,}2\ \mathrm s la tensione è vC=10 e−2≈1,35 Vv_C = 10\,e^{-2} \approx 1{,}35\ \mathrm V.

Grafico interattivo: Scarica: v_C / V0 in funzione di t / T

Formula (carica di un induttore scarico attraverso un resistore).   iL(t)=ER(1−e−t R/L),vL(t)=LdiLdt=E e−t R/L  \boxed{\;i_L(t) = \frac{E}{R}\left(1 - e^{-t\,R/L}\right), \qquad v_L(t) = L\frac{di_L}{dt} = E\, e^{-t\, R/L}\;}

Esempio. Con E=12 VE = 12\ \mathrm V, R=4 ΩR = 4\ \Omega e L=20 mHL = 20\ \mathrm{mH}: T=L/R=5 msT = L/R = 5\ \mathrm{ms}, iL(∞)=3 Ai_L(\infty) = 3\ \mathrm A e iL(T)=3 (1−e−1)≈1,90 Ai_L(T) = 3\,(1 - e^{-1}) \approx 1{,}90\ \mathrm A.

Formula (scarica di un induttore su un resistore).   iL(t)=I0 e−t R/L,vL(t)=−RI0 e−t R/L  \boxed{\;i_L(t) = I_0\, e^{-t\,R/L}, \qquad v_L(t) = -R I_0\, e^{-t\, R/L}\;}

Esempio. Con I0=2 AI_0 = 2\ \mathrm A, R=10 ΩR = 10\ \Omega e L=20 mHL = 20\ \mathrm{mH}: T=2 msT = 2\ \mathrm{ms} e la tensione dell'induttore salta a vL(0+)=−R I0=−20 Vv_L(0^+) = -R\,I_0 = -20\ \mathrm V.

Formula (risposta di un circuito del primo ordine con generatori costanti). Con generatori costanti la soluzione particolare è costante e coincide con la soluzione di regime stazionario per t>0t > 0, il valore finale x∞x_\infty:

  x(t)=x∞+[x(0+)−x∞] e−t/T  \boxed{\;x(t) = x_\infty + \big[x(0^+) - x_\infty\big]\, e^{-t/T}\;}

Servono solo tre numeri:

Numero Come si trova
x(0+)x(0^+) continuità: vC(0+)=vC(0−)v_C(0^+) = v_C(0^-) o iL(0+)=iL(0−)i_L(0^+) = i_L(0^-), dalla rete per t<0t < 0 a regime (C aperto, L in corto)
x∞x_\infty rete per t>0t > 0 a regime stazionario (C aperto, L in corto)
TT T=ReqCT = R_{eq} C oppure T=L/ReqT = L / R_{eq}, con ReqR_{eq} = resistenza vista dai morsetti del componente dinamico, nella rete per t>0t > 0, con i generatori indipendenti spenti

Esempio. Con x(0+)=2x(0^+) = 2, x∞=8x_\infty = 8 e T=2 msT = 2\ \mathrm{ms}: x(t)=8−6 e−t/Tx(t) = 8 - 6\,e^{-t/T}, che a t=Tt = T vale 8−6 e−1≈5,798 - 6\,e^{-1} \approx 5{,}79.

Grafico interattivo: x(t) = x∞ + [x(0⁺) − x∞] e^(−t/T) con x(0⁺) = 2, x∞ = 8 e T = 2 ms: parte da 2, a t = T ha percorso il 63,2% del salto (vale ≈ 5,79) e la tangente in 0 incontra il valore finale proprio in t = T

Formula (tempo per raggiungere un valore assegnato). Tempo per raggiungere un valore. Da x(t1)=x∞+[x(0)−x∞] e−t1/Tx(t_1) = x_\infty + [x(0) - x_\infty]\, e^{-t_1/T}:

t1=Tln⁡x(0)−x∞x(t1)−x∞t_1 = T \ln \frac{x(0) - x_\infty}{x(t_1) - x_\infty}

Esempio. Carica con x(0)=0x(0) = 0, x∞=10 Vx_\infty = 10\ \mathrm V e T=0,1 sT = 0{,}1\ \mathrm s: per arrivare a 9 V9\ \mathrm V servono t1=0,1 ln⁡0−109−10=0,1ln⁡10≈0,23 st_1 = 0{,}1\,\ln\frac{0 - 10}{9 - 10} = 0{,}1\ln 10 \approx 0{,}23\ \mathrm s.

XI. Transitori del secondo ordine e oltre

Circuiti del secondo ordine (RLC)

Formula (equazione del circuito RLC serie). Dividendo per LCLC:

  d2vCdt2+2α dvCdt+ω02 vC=ω02 E,α=R2L,ω0=1LC  \boxed{\;\frac{d^2 v_C}{dt^2} + 2\alpha\, \frac{dv_C}{dt} + \omega_0^2\, v_C = \omega_0^2\, E, \qquad \alpha = \frac{R}{2L}, \quad \omega_0 = \frac{1}{\sqrt{LC}}\;}

Esempio. Con L=25 mHL = 25\ \mathrm{mH}, C=10 μFC = 10\ \mu\mathrm F e R=200 ΩR = 200\ \Omega: α=R/2L=4000 s−1\alpha = R/2L = 4000\ \mathrm s^{-1} e ω0=1/LC=2000 rad/s\omega_0 = 1/\sqrt{LC} = 2000\ \mathrm{rad/s}.

Formula (equazione del circuito RLC parallelo). Duale: un GIC costante JJ alimenta in t=0t = 0 il parallelo di RR (conduttanza GG), LL e CC. Stessa tensione vv su tutti; LKC: Gv+iL+Cdvdt=JG v + i_L + C \frac{dv}{dt} = J con v=LdiLdtv = L \frac{di_L}{dt}:

d2iLdt2+2α diLdt+ω02 iL=ω02 J,α=G2C=12RC,ω0=1LC\frac{d^2 i_L}{dt^2} + 2\alpha\, \frac{di_L}{dt} + \omega_0^2\, i_L = \omega_0^2\, J, \qquad \alpha = \frac{G}{2C} = \frac{1}{2RC}, \quad \omega_0 = \frac{1}{\sqrt{LC}}

Esempio. Con R=100 ΩR = 100\ \Omega, C=10 μFC = 10\ \mu\mathrm F e L=25 mHL = 25\ \mathrm{mH}: α=12RC=500 s−1\alpha = \frac{1}{2RC} = 500\ \mathrm s^{-1} e ω0=2000 rad/s\omega_0 = 2000\ \mathrm{rad/s} (circuito sottosmorzato).

Proprietà (radici e tre casi di smorzamento del circuito RLC). Omogenea. Si cerca este^{st}: sostituendo si trova il polinomio caratteristico

s2+2αs+ω02=0⟹s1,2=−α±α2−ω02s^2 + 2\alpha s + \omega_0^2 = 0 \quad\Longrightarrow\quad s_{1,2} = -\alpha \pm \sqrt{\alpha^2 - \omega_0^2}

Il segno del discriminante Δ=α2−ω02\Delta = \alpha^2 - \omega_0^2 dà tre casi.

Caso Condizione Radici Soluzione dell'omogenea
sovrasmorzato α>ω0\alpha > \omega_0 reali, negative, distinte A1es1t+A2es2tA_1 e^{s_1 t} + A_2 e^{s_2 t}
criticamente smorzato α=ω0\alpha = \omega_0 reale doppia −α-\alpha e−αt(A1+A2t)e^{-\alpha t}(A_1 + A_2 t)
sottosmorzato 0<α<ω00 < \alpha < \omega_0 complesse −α±jωs-\alpha \pm j\omega_s e−αt [A1cos⁡ωst+A2sin⁡ωst]e^{-\alpha t}\,[A_1 \cos \omega_s t + A_2 \sin \omega_s t]

Esempio. Con α=500 s−1<ω0=2000 rad/s\alpha = 500\ \mathrm s^{-1} < \omega_0 = 2000\ \mathrm{rad/s} (sottosmorzato) le radici sono s1,2=−500±j ωss_{1,2} = -500 \pm j\,\omega_s con ωs=20002−5002≈1936,5 rad/s\omega_s = \sqrt{2000^2 - 500^2} \approx 1936{,}5\ \mathrm{rad/s}.

Formula (condizioni iniziali per il secondo ordine). Un'equazione del secondo ordine ha due costanti, quindi servono due condizioni in 0+0^+: il valore dell'incognita e quello della sua derivata. La derivata non è data direttamente, ma si ottiene dall'altra variabile di stato. Nel serie, con incognita vCv_C:

vC(0+)=vC(0−),dvCdt∣0+=iC(0+)C=iL(0+)Cv_C(0^+) = v_C(0^-), \qquad \left.\frac{dv_C}{dt}\right|_{0^+} = \frac{i_C(0^+)}{C} = \frac{i_L(0^+)}{C}

(nel serie la corrente del condensatore è quella dell'induttore, che è continua). Nel parallelo, con incognita iLi_L: i˙L(0+)=vL(0+)/L=vC(0+)/L\dot i_L(0^+) = v_L(0^+)/L = v_C(0^+)/L.

Esempio. Nel serie con C=10 μFC = 10\ \mu\mathrm F e iL(0+)=0i_L(0^+) = 0 si ha v˙C(0+)=0\dot v_C(0^+) = 0; con iL(0+)=0,5 Ai_L(0^+) = 0{,}5\ \mathrm A sarebbe v˙C(0+)=0,5/10−5=5⋅104 V/s\dot v_C(0^+) = 0{,}5/10^{-5} = 5 \cdot 10^{4}\ \mathrm{V/s}.

Formula (RLC serie sovrasmorzato: E = 10 V, L = 25 mH, C = 10 µF, R = 200 Ω). vC(t)=10−10,77 e−535,9 t+0,77 e−7464,1 t V,iL(t)=CdvCdt=0,0577 (e−535,9 t−e−7464,1 t) Av_C(t) = 10 - 10{,}77\, e^{-535{,}9\, t} + 0{,}77\, e^{-7464{,}1\, t}\ \mathrm V, \qquad i_L(t) = C\frac{dv_C}{dt} = 0{,}0577\,\left(e^{-535{,}9\, t} - e^{-7464{,}1\, t}\right)\ \mathrm A

Esempio. Dopo t=1 mst = 1\ \mathrm{ms} la tensione è vC=10−10,77 e−0,536+0,77 e−7,464≈3,7 Vv_C = 10 - 10{,}77\,e^{-0{,}536} + 0{,}77\,e^{-7{,}464} \approx 3{,}7\ \mathrm V.

Grafico interattivo: Sovrasmorzato: v_C [V] in funzione di t [ms]

Formula (RLC serie criticamente smorzato: R = 100 Ω). vC(t)=10−10 e−2000t−20 000 t e−2000t V,iL(t)=400 t e−2000t Av_C(t) = 10 - 10\, e^{-2000 t} - 20\,000\, t\, e^{-2000 t}\ \mathrm V, \qquad i_L(t) = 400\, t\, e^{-2000 t}\ \mathrm A

Esempio. Dopo t=1 mst = 1\ \mathrm{ms} la tensione è vC=10−10 e−2−20 e−2≈5,94 Vv_C = 10 - 10\,e^{-2} - 20\,e^{-2} \approx 5{,}94\ \mathrm V.

Grafico interattivo: Critico: v_C [V] in funzione di t [ms]

Formula (RLC serie sottosmorzato: R = 25 Ω). vC(t)=10+e−500t [−10cos⁡(1936,5 t)−2,582sin⁡(1936,5 t)] V,iL(t)=0,2066 e−500tsin⁡(1936,5 t) Av_C(t) = 10 + e^{-500 t}\,[-10 \cos(1936{,}5\, t) - 2{,}582 \sin(1936{,}5\, t)]\ \mathrm V, \qquad i_L(t) = 0{,}2066\, e^{-500 t} \sin(1936{,}5\, t)\ \mathrm A

Esempio. Il primo massimo è a t=π/ωs=1,62 mst = \pi/\omega_s = 1{,}62\ \mathrm{ms} e vale vC=10+10 e−απ/ωs=10+10 e−0,811≈14,4 Vv_C = 10 + 10\,e^{-\alpha\pi/\omega_s} = 10 + 10\,e^{-0{,}811} \approx 14{,}4\ \mathrm V.

Grafico interattivo: Sottosmorzato: v_C [V] in funzione di t [ms]

Formula (equazioni di stato dell'RLC serie). Invece di un'equazione del secondo ordine in una sola incognita, si possono scrivere due equazioni del primo ordine in entrambe le variabili di stato. Per l'RLC serie con un ingresso e(t)e(t) qualsiasi, isolando le derivate:

{dvCdt=1C iLdiLdt=−1L vC−RL iL+1L e(t)⟺x˙=[A] x+[B] u\begin{cases} \dfrac{dv_C}{dt} = \dfrac{1}{C}\, i_L \\[2mm] \dfrac{di_L}{dt} = -\dfrac{1}{L}\, v_C - \dfrac{R}{L}\, i_L + \dfrac{1}{L}\, e(t) \end{cases} \qquad\Longleftrightarrow\qquad \dot{\mathbf x} = [A]\,\mathbf x + [B]\, u

con x=[vCiL]\mathbf x = \begin{bmatrix} v_C \\ i_L \end{bmatrix}, [A]=[01/C−1/L−R/L][A] = \begin{bmatrix} 0 & 1/C \\ -1/L & -R/L \end{bmatrix}, [B]=[01/L][B] = \begin{bmatrix} 0 \\ 1/L \end{bmatrix}, u=e(t)u = e(t).

Esempio. Con R=25 ΩR = 25\ \Omega, L=25 mHL = 25\ \mathrm{mH} e C=10 μFC = 10\ \mu\mathrm F: [A]=[0105−40−1000][A] = \begin{bmatrix} 0 & 10^{5} \\ -40 & -1000 \end{bmatrix}, il cui polinomio caratteristico è s2+1000 s+4⋅106s^2 + 1000\,s + 4 \cdot 10^{6}, con radici −500±j 1936 s−1-500 \pm j\,1936\ \mathrm s^{-1}.

Equazioni di stato e circuiti di ordine superiore

Definizione (equazioni di stato). Il sistema completo della rete (LKC, LKT ed equazioni dei bipoli) è fatto di equazioni algebriche e di nn equazioni differenziali del primo ordine (una per ogni componente dinamico). Per l'RLC lo si riduce a una sola equazione di ordine 2 in una sola incognita; per ordini più alti questa strada è impraticabile. Conviene invece ridurlo a nn equazioni del primo ordine nelle sole variabili di stato:

x˙=[A] x+[B] u,x=[vC1⋮iL1⋮],u=[e1⋮j1⋮]\dot{\mathbf x} = [A]\, \mathbf x + [B]\, \mathbf u, \qquad \mathbf x = \begin{bmatrix} v_{C1} \\ \vdots \\ i_{L1} \\ \vdots \end{bmatrix}, \quad \mathbf u = \begin{bmatrix} e_1 \\ \vdots \\ j_1 \\ \vdots \end{bmatrix}

[A][A] è la matrice di stato (n×nn \times n), [B][B] la matrice degli ingressi.

Esempio. Un circuito con 22 condensatori e 11 induttore indipendenti ha ordine n=3n = 3: x=[vC1, vC2, iL3]T\mathbf x = [v_{C1},\ v_{C2},\ i_{L3}]^T e [A][A] è una matrice 3×33 \times 3.

Teorema (modi naturali e autovalori). In evoluzione libera (u=0\mathbf u = 0) si cercano soluzioni della forma x=U est\mathbf x = \mathbf U\, e^{st}. Sostituendo: s U=[A] Us\, \mathbf U = [A]\, \mathbf U, cioè ss è un autovalore di [A][A] e U\mathbf U un suo autovettore (vedi Algebra Lineare). Gli autovalori sono le radici di

det⁡([A]−s [I])=0\det\big([A] - s\,[I]\big) = 0

che coincide con il polinomio caratteristico dell'equazione di ordine nn della rete. La soluzione libera è una combinazione di modi naturali:

x(t)=∑i=1nKi Ui esit\mathbf x(t) = \sum_{i=1}^{n} K_i\, \mathbf U_i\, e^{s_i t}

Esempio. Nel circuito del terzo ordine dell'esempio gli autovalori sono s1=−1910,5 s−1s_1 = -1910{,}5\ \mathrm s^{-1} e s2,3=−124,7±j 712,6 s−1s_{2,3} = -124{,}7 \pm j\,712{,}6\ \mathrm s^{-1}: un modo che si spegne in circa 0,5 ms0{,}5\ \mathrm{ms} e un'oscillazione smorzata a 712,6 rad/s712{,}6\ \mathrm{rad/s}.

Grafico interattivo: v_C1 [V] in funzione di t [ms] (circuito del terzo ordine)

Definizione (stabilità e stabilità assoluta).

Definizione Condizione sugli autovalori Significato
stabile tutte le parti reali ≤0\le 0 l'evoluzione libera resta limitata
assolutamente stabile (dissipativo) tutte le parti reali <0< 0 ogni modo si spegne; l'energia immagazzinata tende a zero
instabile almeno una parte reale >0> 0 almeno un modo cresce senza limite

Esempio. Un RLC serie con R=25 ΩR = 25\ \Omega ha autovalori −500±j 1936 s−1-500 \pm j\,1936\ \mathrm s^{-1} (parte reale negativa): assolutamente stabile. Con R=0R = 0 sono ±j 2000 s−1\pm j\,2000\ \mathrm s^{-1}: solo stabile.

Formula (metodo di Eulero esplicito). Con ingressi qualsiasi, o per circuiti grandi, le equazioni di stato si integrano numericamente. Il metodo più semplice è Eulero esplicito: si approssima la derivata con un rapporto incrementale su un passo Δt\Delta t piccolo rispetto alle costanti di tempo,

xk+1=xk+Δt ([A] xk+[B] uk)\mathbf x_{k+1} = \mathbf x_k + \Delta t\,\big([A]\, \mathbf x_k + [B]\, \mathbf u_k\big)

Esempio. Per x˙=−x/T\dot x = -x/T con T=1 msT = 1\ \mathrm{ms}, x0=1x_0 = 1 e Δt=0,1 ms\Delta t = 0{,}1\ \mathrm{ms}: x1=1+10−4⋅(−103)=0,9x_1 = 1 + 10^{-4} \cdot (-10^{3}) = 0{,}9, contro il valore esatto e−0,1≈0,905e^{-0{,}1} \approx 0{,}905.

XII. Regime sinusoidale e fasori

Sinusoidi e fasori

Definizione (sinusoide: ampiezza, pulsazione e fase). a(t)=AMcos⁡(ωt+φa)a(t) = A_M \cos(\omega t + \varphi_a)

  • AM≥0A_M \ge 0 è l'ampiezza (valore massimo);
  • ω>0\omega > 0 è la pulsazione in rad/s\mathrm{rad/s}; il periodo è T=2π/ωT = 2\pi/\omega e la frequenza f=1/T=ω/2πf = 1/T = \omega / 2\pi in hertz (Hz=s−1\mathrm{Hz} = \mathrm s^{-1});
  • φa\varphi_a è la fase in radianti, presa nell'intervallo (−π,π](-\pi, \pi].

Esempio. La rete elettrica a f=50 Hzf = 50\ \mathrm{Hz} ha ω=2π⋅50≈314 rad/s\omega = 2\pi \cdot 50 \approx 314\ \mathrm{rad/s} e T=20 msT = 20\ \mathrm{ms}.

Definizione (valore efficace). Il valore efficace (in inglese rms, root mean square) è la radice della media del quadrato su un periodo:

A=1T∫0Ta2(t) dtA = \sqrt{\frac{1}{T}\int_0^T a^2(t)\, dt}

Per una sinusoide, usando cos⁡2x=1+cos⁡2x2\cos^2 x = \frac{1 + \cos 2x}{2} (la media del secondo termine su un periodo è zero):

A=AM22=AM2≈0,707 AMA = \sqrt{\frac{A_M^2}{2}} = \frac{A_M}{\sqrt 2} \approx 0{,}707\, A_M

Esempio. I 230 V230\ \mathrm V della rete domestica sono un valore efficace: l'ampiezza è AM=2302≈325 VA_M = 230\sqrt2 \approx 325\ \mathrm V.

Definizione (sfasamento). Due sinusoidi della stessa frequenza a(t)=2Acos⁡(ωt+φa)a(t) = \sqrt2 A\cos(\omega t + \varphi_a) e b(t)=2Bcos⁡(ωt+φb)b(t) = \sqrt2 B\cos(\omega t + \varphi_b) differiscono per l'ampiezza e per una traslazione nel tempo. Lo sfasamento (o anticipo di fase) di aa rispetto a bb è

φa−φb(riportato nell’intervallo (−π,π] sommando o togliendo 2π)\varphi_a - \varphi_b \quad \text{(riportato nell'intervallo } (-\pi, \pi] \text{ sommando o togliendo } 2\pi\text{)}

e corrisponde a uno spostamento nel tempo Δt=(φa−φb)/ω\Delta t = (\varphi_a - \varphi_b)/\omega.

Sfasamento φa−φb\varphi_a - \varphi_b Si dice che
>0> 0 aa è in anticipo su bb (raggiunge prima il massimo)
<0< 0 aa è in ritardo su bb
00 sono in fase
π\pi sono in opposizione di fase
π/2\pi/2 aa è in quadratura in anticipo su bb
−π/2-\pi/2 aa è in quadratura in ritardo su bb

Esempio. Se φa−φb\varphi_a - \varphi_b risulta −5π/4-5\pi/4, si somma 2π2\pi e lo sfasamento è 3π/43\pi/4.

Grafico interattivo: Sfasamento: a(t) = cos(ωt + π/3) è in anticipo di π/3 su b(t) = cos(ωt): raggiunge il massimo un istante prima (Δt = (π/3)/ω). In ascissa ωt, in radianti

Definizione (fasore). Con la frequenza fissata, una sinusoide è individuata da due numeri: valore efficace AA e fase φa\varphi_a. Anche un numero complesso è individuato da due numeri (modulo e argomento). Si associa allora a ogni sinusoide il fasore

  a(t)=2 Acos⁡(ωt+φa)⟷Aˉ=A ejφa  \boxed{\;a(t) = \sqrt2\, A \cos(\omega t + \varphi_a) \quad\longleftrightarrow\quad \bar A = A\, e^{j\varphi_a}\;}

con modulo uguale al valore efficace e argomento uguale alla fase. La corrispondenza è biunivoca; per tornare alla sinusoide:

a(t)=Re[2 Aˉ ejωt]a(t) = \mathrm{Re}\left[\sqrt2\, \bar A\, e^{j\omega t}\right]

Esempio. Per a(t)=52cos⁡(ωt+π/4)a(t) = 5\sqrt2 \cos(\omega t + \pi/4) il valore efficace è 55 e la fase π/4\pi/4: Aˉ=5 ejπ/4≈3,54+3,54j\bar A = 5\,e^{j\pi/4} \approx 3{,}54 + 3{,}54j.

Proprietà (operazioni sui fasori: somma, prodotto per una costante, derivata).

Nel tempo Sui fasori
c(t)=a(t)±b(t)c(t) = a(t) \pm b(t) Cˉ=Aˉ±Bˉ\bar C = \bar A \pm \bar B
c(t)=k a(t)c(t) = k\, a(t), kk reale Cˉ=k Aˉ\bar C = k\, \bar A
c(t)=dadtc(t) = \dfrac{da}{dt} Cˉ=jω Aˉ\bar C = j\omega\, \bar A

Esempio. Con Aˉ=3\bar A = 3 e Bˉ=2j\bar B = 2j: Aˉ+Bˉ=3+2j\bar A + \bar B = 3 + 2j, di modulo 13≈3,61<3+2\sqrt{13} \approx 3{,}61 < 3 + 2. La derivata di Aˉ\bar A a ω=314 rad/s\omega = 314\ \mathrm{rad/s} è jωAˉ=j 942j\omega \bar A = j\,942.

Grafico interattivo: Somma di fasori nel piano complesso: Ā = 3 e B̄ = 2j danno Ā + B̄ = 3 + 2j, di modulo √13 ≈ 3,61, che è minore di 3 + 2 = 5: i valori efficaci non si sommano

Formula (linearizzazione ai piccoli segnali). Il metodo funziona solo con componenti le cui equazioni sono compatibili con il regime sinusoidale (somme, prodotti per costanti, derivate). Un diodo, con i=IS(ev/ηVT−1)i = I_S\left(e^{v/\eta V_T} - 1\right), non lo è: una tensione sinusoidale produce una corrente non sinusoidale. Se però la tensione varia poco attorno a un punto di lavoro (v0,i0)(v_0, i_0), si approssima con la tangente (Taylor al primo ordine):

i−i0≈gd (v−v0),gd=didv∣v0i - i_0 \approx g_d\,(v - v_0), \qquad g_d = \left.\frac{di}{dv}\right|_{v_0}

Per le piccole variazioni il diodo si comporta come un resistore di conduttanza gdg_d (la conduttanza differenziale), e il regime sinusoidale torna applicabile.

Esempio. Un diodo con IS=10−12 AI_S = 10^{-12}\ \mathrm A e ηVT=25 mV\eta V_T = 25\ \mathrm{mV} in v0=0,5 Vv_0 = 0{,}5\ \mathrm V ha i0≈0,485 mAi_0 \approx 0{,}485\ \mathrm{mA} e gd=i0/(ηVT)≈19,4 mSg_d = i_0/(\eta V_T) \approx 19{,}4\ \mathrm{mS} (circa 52 Ω52\ \Omega).

Impedenza e ammettenza

Formula (resistore in regime sinusoidale). v=Riv = R i diventa, sui fasori,

Vˉ=R Iˉ(Iˉ=G Vˉ)\bar V = R\, \bar I \qquad (\bar I = G\, \bar V)

Esempio. Con R=10 ΩR = 10\ \Omega e Iˉ=3 A\bar I = 3\ \mathrm A si ha Vˉ=30 V\bar V = 30\ \mathrm V, in fase con la corrente.

Formula (induttore in regime sinusoidale). v=L didtv = L\, \frac{di}{dt} e la derivata diventa jωj\omega:

Vˉ=jωL Iˉ\bar V = j\omega L\, \bar I

Esempio. Con L=20 mHL = 20\ \mathrm{mH} a ω=1000 rad/s\omega = 1000\ \mathrm{rad/s} è XL=ωL=20 ΩX_L = \omega L = 20\ \Omega; con Iˉ=2 A\bar I = 2\ \mathrm A la tensione è Vˉ=j 20⋅2=j 40 V\bar V = j\,20 \cdot 2 = j\,40\ \mathrm V, in anticipo di π/2\pi/2.

Formula (condensatore in regime sinusoidale). i=C dvdti = C\, \frac{dv}{dt}:

Iˉ=jωC Vˉ⟺Vˉ=1jωC Iˉ=−jωC Iˉ\bar I = j\omega C\, \bar V \qquad\Longleftrightarrow\qquad \bar V = \frac{1}{j\omega C}\, \bar I = -\frac{j}{\omega C}\, \bar I

Esempio. Con C=25 μFC = 25\ \mu\mathrm F a ω=1000 rad/s\omega = 1000\ \mathrm{rad/s} è XC=−40 ΩX_C = -40\ \Omega; con Vˉ=100 V\bar V = 100\ \mathrm V la corrente è Iˉ=jωC Vˉ=j 2,5 A\bar I = j\omega C\,\bar V = j\,2{,}5\ \mathrm A, in anticipo di π/2\pi/2.

Grafico interattivo: CIVIL con i = cos ωt come riferimento: la tensione sull'induttore (L) anticipa la corrente di π/2, quella sul condensatore (C) è in ritardo di π/2. In ascissa ωt, in radianti

Definizione (impedenza). Per resistore, induttore e condensatore (e per ogni rete passiva fatta con essi, vista da due morsetti) vale una proporzionalità tra fasori:

  Vˉ=Z˙ Iˉ  \boxed{\;\bar V = \dot Z\, \bar I\;}

Z˙\dot Z è l'impedenza (in ohm). È un numero complesso, ma non un fasore (non rappresenta una sinusoide), per questo ha il punto. In forma polare e cartesiana:

Z˙=VˉIˉ=VI ej(φv−φi)=Z ejφ=R+jX\dot Z = \frac{\bar V}{\bar I} = \frac{V}{I}\, e^{j(\varphi_v - \varphi_i)} = Z\, e^{j\varphi} = R + jX

  • il modulo Z=V/IZ = V/I è il rapporto tra i valori efficaci;
  • l'argomento φ\varphi è lo sfasamento della tensione rispetto alla corrente;
  • la parte reale R=Zcos⁡φR = Z\cos\varphi è la resistenza, la parte immaginaria X=Zsin⁡φX = Z\sin\varphi la reattanza.

Esempio. Un resistore da 3 Ω3\ \Omega in serie a un induttore con XL=4 ΩX_L = 4\ \Omega ha Z˙=3+4j=5 ej53,1∘ Ω\dot Z = 3 + 4j = 5\,e^{j53{,}1^\circ}\ \Omega; con Iˉ=2 A\bar I = 2\ \mathrm A si ha Vˉ=10 ej53,1∘ V\bar V = 10\,e^{j53{,}1^\circ}\ \mathrm V.

Grafico interattivo: Piano delle impedenze: 3 + 4j Ω è ohmico-induttiva (X > 0, φ ≈ +53°, Z = 5 Ω), 3 − 4j Ω è ohmico-capacitiva (X < 0, φ ≈ −53°); la parte reale R = 3 Ω è la stessa

Definizione (ammettenza). Y˙=1Z˙=IˉVˉ=Ye−jφ=G+jB[S]\dot Y = \frac{1}{\dot Z} = \frac{\bar I}{\bar V} = Y e^{-j\varphi} = G + jB \qquad [\mathrm S]

con conduttanza GG e suscettanza BB.

Esempio. L'impedenza Z˙=5 ej53,1∘ Ω\dot Z = 5\,e^{j53{,}1^\circ}\ \Omega ha ammettenza Y˙=0,2 e−j53,1∘ S\dot Y = 0{,}2\,e^{-j53{,}1^\circ}\ \mathrm S.

Formula (conduttanza e suscettanza di un'impedenza complessa). Attenzione: G≠1/RG \ne 1/R e B≠1/XB \ne 1/X quando Z˙\dot Z ha sia parte reale che immaginaria. Si razionalizza:

Y˙=1R+jX=R−jXR2+X2⟹G=RR2+X2,B=−XR2+X2\dot Y = \frac{1}{R + jX} = \frac{R - jX}{R^2 + X^2} \quad\Longrightarrow\quad G = \frac{R}{R^2 + X^2}, \quad B = \frac{-X}{R^2 + X^2}

Esempio. Z˙=10(1−j)\dot Z = 10(1 - j) dà Y˙=110(1−j)=1+j20\dot Y = \frac{1}{10(1-j)} = \frac{1 + j}{20}, quindi G=B=0,05 SG = B = 0{,}05\ \mathrm S, mentre 1/R=0,11/R = 0{,}1.

Proprietà (impedenza di un bipolo passivo). Un bipolo passivo non può erogare energia indefinitamente: su molti periodi l'energia entrante è P⋅nTP \cdot nT, che con P<0P < 0 crescerebbe in modulo senza limite superando qualunque energia immagazzinata. Quindi per un bipolo passivo la potenza attiva entrante è P≥0P \ge 0. Per un'impedenza:

Re(Z˙)≥0⟺−π2≤φ≤π2\mathrm{Re}(\dot Z) \ge 0 \quad\Longleftrightarrow\quad -\frac{\pi}{2} \le \varphi \le \frac{\pi}{2}

Esempio. Z˙=3+4j Ω\dot Z = 3 + 4j\ \Omega ha Re(Z˙)=3>0\mathrm{Re}(\dot Z) = 3 > 0 ed è passiva; Z˙=−3+4j Ω\dot Z = -3 + 4j\ \Omega (resistore attivo) non lo è.

Legge di Kirchhoff sui fasori (LKC e LKT). Una LKC ∑±ik(t)=0\sum \pm i_k(t) = 0 è una somma di sinusoidi della stessa frequenza, quindi vale sui fasori:

∑±Iˉk=0(per ogni nodo o taglio),∑±Vˉk=0(per ogni maglia)\sum \pm \bar I_k = 0 \quad \text{(per ogni nodo o taglio)}, \qquad \sum \pm \bar V_k = 0 \quad \text{(per ogni maglia)}

Esempio. In una maglia R–L serie con VR=30 VV_R = 30\ \mathrm V e VL=40 VV_L = 40\ \mathrm V sfasate di π/2\pi/2, la tensione totale è ∣30+40j∣=50 V|30 + 40j| = 50\ \mathrm V, non 70 V70\ \mathrm V.

Grafico interattivo: Diagramma fasoriale della maglia R–L serie (corrente come riferimento): V̄_R = 30 V in fase con Ī, V̄_L = 40j V in quadratura in anticipo; V̄ = 30 + 40j ha modulo 50 V, non 70 V

XIII. Potenze in regime sinusoidale

Potenza in regime sinusoidale

Formula (potenza istantanea in regime sinusoidale). p(t)=v(t) i(t)=2VIcos⁡(ωt+φv)cos⁡(ωt+φi)=VIcos⁡φ+VIcos⁡(2ωt+φv+φi)p(t) = v(t)\, i(t) = 2VI \cos(\omega t + \varphi_v)\cos(\omega t + \varphi_i) = VI\cos\varphi + VI\cos(2\omega t + \varphi_v + \varphi_i)

Una costante più una sinusoide di pulsazione doppia. Riscrivendo il secondo termine:

p(t)=P [1+cos⁡(2ωt+2φi)]⏟≥0 se P≥0  −  Qsin⁡(2ωt+2φi)⏟media nullap(t) = \underbrace{P\,[1 + \cos(2\omega t + 2\varphi_i)]}_{\ge 0 \text{ se } P \ge 0} \; - \; \underbrace{Q \sin(2\omega t + 2\varphi_i)}_{\text{media nulla}}

Esempio. Con V=230 VV = 230\ \mathrm V, I=2 AI = 2\ \mathrm A e φ=60∘\varphi = 60^\circ: VI=460 VAVI = 460\ \mathrm{VA} e p(t)=460cos⁡60∘+460cos⁡(2ωt+φv+φi)=230+460cos⁡(2ωt+φv+φi) Wp(t) = 460 \cos 60^\circ + 460\cos(2\omega t + \varphi_v + \varphi_i) = 230 + 460\cos(2\omega t + \varphi_v + \varphi_i)\ \mathrm W.

Grafico interattivo: p(t) / VI per i tre bipoli elementari (ωt in ascissa): il resistore assorbe sempre (media 1), induttore e condensatore hanno media nulla e andamenti opposti

Definizione (potenza attiva).   P=1T∫0Tp(t) dt=VIcos⁡φ  [W]\boxed{\;P = \frac{1}{T}\int_0^T p(t)\, dt = VI\cos\varphi\;} \qquad [\mathrm W]

Significato. In un intervallo lungo rispetto al periodo (Δt≫T\Delta t \gg T) l'energia entrante è W≈P ΔtW \approx P\, \Delta t. Per questo la bolletta si paga in kWh\mathrm{kWh} di energia attiva.

Esempio. Con V=230 VV = 230\ \mathrm V, I=2 AI = 2\ \mathrm A e φ=60∘\varphi = 60^\circ: P=230⋅2⋅0,5=230 WP = 230 \cdot 2 \cdot 0{,}5 = 230\ \mathrm W, cioè 0,23 kWh0{,}23\ \mathrm{kWh} in un'ora.

Definizione (potenza complessa).   S˙=Vˉ Iˉ∗=VI ejφ=P+jQ  \boxed{\;\dot S = \bar V\, \bar I^{*} = VI\, e^{j\varphi} = P + jQ\;}

dove Iˉ∗\bar I^* è il complesso coniugato di Iˉ\bar I. Il coniugato serve a ottenere la differenza delle fasi: Vejφv⋅Ie−jφi=VIej(φv−φi)V e^{j\varphi_v} \cdot I e^{-j\varphi_i} = VI e^{j(\varphi_v - \varphi_i)}. La potenza complessa non è un fasore (non rappresenta una sinusoide), per questo si scrive con il punto.

Esempio. Con Vˉ=230 V\bar V = 230\ \mathrm V e Iˉ=2 e−j60∘ A\bar I = 2\,e^{-j60^\circ}\ \mathrm A: S˙=Vˉ Iˉ∗=460 ej60∘≈230+j 398 VA\dot S = \bar V\,\bar I^* = 460\,e^{j60^\circ} \approx 230 + j\,398\ \mathrm{VA}.

Definizione (potenza reattiva e potenza apparente). Q=Im(S˙)=VIsin⁡φ[VAR, volt-ampere reattivi]Q = \mathrm{Im}(\dot S) = VI\sin\varphi \qquad [\mathrm{VAR}, \text{ volt-ampere reattivi}]

S=∣S˙∣=VI=P2+Q2[VA, volt-ampere]S = |\dot S| = VI = \sqrt{P^2 + Q^2} \qquad [\mathrm{VA}, \text{ volt-ampere}]

PP, QQ e SS formano il triangolo delle potenze (cateti PP e QQ, ipotenusa SS, angolo φ\varphi). Le unità diverse (W\mathrm W, VAR\mathrm{VAR}, VA\mathrm{VA}) sono dimensionalmente uguali, ma ricordano di che potenza si tratta.

Esempio. Con S˙=230+j 398 VA\dot S = 230 + j\,398\ \mathrm{VA}: P=230 WP = 230\ \mathrm W, Q=398 VARQ = 398\ \mathrm{VAR} e S=2302+3982=460 VAS = \sqrt{230^2 + 398^2} = 460\ \mathrm{VA}.

Definizione (fattore di potenza). cos⁡φ=PS\cos\varphi = \frac{P}{S}

adimensionale, tra 0 e 1 per un bipolo passivo. A parità di PP e di VV, la corrente è I=PVcos⁡φI = \frac{P}{V\cos\varphi}: un fattore di potenza basso fa circolare più corrente per trasportare la stessa potenza attiva. È il motivo del rifasamentoRifasare un carico ohmico-induttivo (P, cos φ) vuol dire mettergli in parallelo un condensatore che fornisca parte della sua potenza reattiva: P resta uguale, Q e la corrente di linea diminuiscono. Per portare il fattore di potenza da cos φ a cos φ': C = P (tan φ - tan φ') / (ω V²); rifasamento completo con tan φ' = 0. Massimo trasferimento di potenza attiva: un carico Ż collegato a un equivalente di Thévenin (Ē_eq, Ż_eq) riceve la massima potenza attiva quando Ż = Ż_eq* (impedenza coniugata), e allora P_max = E_eq² / (4 R_eq).Rifasamento e massimo trasferimento di potenza attiva →.

Esempio. Per portare P=2 kWP = 2\ \mathrm{kW} a 230 V230\ \mathrm V con cos⁡φ=0,8\cos\varphi = 0{,}8 serve I=2000230⋅0,8≈10,9 AI = \frac{2000}{230 \cdot 0{,}8} \approx 10{,}9\ \mathrm A, contro 8,7 A8{,}7\ \mathrm A con cos⁡φ=1\cos\varphi = 1.

Formula (potenze di un'impedenza e dei bipoli elementari). Per un'impedenza Z˙=R+jX\dot Z = R + jX: S˙=VˉIˉ∗=Z˙IˉIˉ∗=Z˙I2\dot S = \bar V \bar I^* = \dot Z \bar I \bar I^* = \dot Z I^2, quindi

P=R I2,Q=X I2,S=Z I2P = R\, I^2, \qquad Q = X\, I^2, \qquad S = Z\, I^2

e, in termini di tensione, S˙=Vˉ(Y˙Vˉ)∗=Y˙∗V2\dot S = \bar V (\dot Y \bar V)^* = \dot Y^* V^2, cioè P=GV2P = G V^2, Q=−BV2Q = -B V^2.

Bipolo PP QQ Commento
resistore RI2=V2/RR I^2 = V^2 / R 00 assorbe solo potenza attiva
induttore 00 ωL I2=V2ωL>0\omega L\, I^2 = \dfrac{V^2}{\omega L} > 0 "assorbe" potenza reattiva
condensatore 00 −ωC V2=−I2ωC<0-\omega C\, V^2 = -\dfrac{I^2}{\omega C} < 0 "eroga" potenza reattiva

Esempio. Z˙=15−j25 Ω\dot Z = 15 - j25\ \Omega percorsa da I=2 AI = 2\ \mathrm A: P=15⋅4=60 WP = 15 \cdot 4 = 60\ \mathrm W, Q=−25⋅4=−100 VARQ = -25 \cdot 4 = -100\ \mathrm{VAR} (capacitiva), S=602+1002≈116,6 VAS = \sqrt{60^2 + 100^2} \approx 116{,}6\ \mathrm{VA}, cos⁡φ=60/116,6≈0,51\cos\varphi = 60/116{,}6 \approx 0{,}51.

Grafico interattivo: Triangolo delle potenze dell'esempio: P = 60 W sull'asse reale, Q = −100 VAR verso il basso (carico capacitivo), S = 116,6 VA con φ ≈ −59° e cos φ ≈ 0,51

Teorema di Boucherot. In una rete in regime sinusoidale, prendendo la stessa convenzione per tutti i bipoli:

∑k=1ℓS˙k=0⟹∑kPk=0,∑kQk=0\sum_{k=1}^{\ell} \dot S_k = 0 \quad\Longrightarrow\quad \sum_k P_k = 0, \qquad \sum_k Q_k = 0

Si conservano la potenza complessa, quella attiva e quella reattiva (separatamente). Si dimostra con il Teorema di TellegenCon la stessa convenzione su tutti i bipoli, la somma dei prodotti v_h·i_h su tutti i bipoli di una rete è zero, se le tensioni rispettano le LKT e le correnti le LKC. Dipende solo dalla topologia; preso tutto allo stesso istante dà la conservazione della potenza: la potenza erogata dai generatori è uguale a quella assorbita dagli altri bipoli.Teorema di Tellegen → applicato ai fasori delle tensioni e ai coniugati dei fasori delle correnti (che soddisfano anch'essi le LKC). In pratica: la potenza attiva erogata dai generatori è uguale a quella assorbita dai resistori, e la potenza reattiva erogata è uguale alla somma delle reattive assorbite da induttori (positive) e condensatori (negative).

Esempio. Un carico 15−j25 Ω15 - j25\ \Omega con I=2 AI = 2\ \mathrm A assorbe S˙=60−j100 VA\dot S = 60 - j100\ \mathrm{VA}: il generatore che lo alimenta eroga esattamente 60 W60\ \mathrm W e −100 VAR-100\ \mathrm{VAR}.

XIV. Reti in regime sinusoidale

Reti in regime sinusoidale (metodo simbolico)

Formula (impedenze in serie e in parallelo). serie: Z˙s=∑kZ˙k,parallelo: Y˙p=∑kY˙k,Z˙1∥Z˙2=Z˙1Z˙2Z˙1+Z˙2\text{serie: } \dot Z_s = \sum_k \dot Z_k, \qquad \text{parallelo: } \dot Y_p = \sum_k \dot Y_k, \qquad \dot Z_1 \parallel \dot Z_2 = \frac{\dot Z_1 \dot Z_2}{\dot Z_1 + \dot Z_2}

Esempio. Con Z˙1=3+4j Ω\dot Z_1 = 3 + 4j\ \Omega e Z˙2=1−2j Ω\dot Z_2 = 1 - 2j\ \Omega: in serie Z˙s=4+2j Ω\dot Z_s = 4 + 2j\ \Omega; in parallelo Z˙1∥Z˙2=(3+4j)(1−2j)4+2j=11−2j4+2j=2−1,5j Ω\dot Z_1 \parallel \dot Z_2 = \frac{(3 + 4j)(1 - 2j)}{4 + 2j} = \frac{11 - 2j}{4 + 2j} = 2 - 1{,}5j\ \Omega.

Formula (partitori di tensione e di corrente con le impedenze). Partitori (Partitori di tensione e di correnteIn una serie di resistori la tensione totale si divide in proporzione alle resistenze: v_k = R_k/R_s · v_s (per due: v_1 = R_1/(R_1+R_2) · v_s). In un parallelo la corrente totale si divide in proporzione alle conduttanze: i_k = G_k/G_p · i_p (per due: i_1 = R_2/(R_1+R_2) · i_p, con la resistenza dell'altro ramo al numeratore). Le formule valgono con i riferimenti "naturali": se il riferimento chiesto è opposto, si cambia segno.Partitori di tensione e di corrente →):

Vˉk=Vˉ Z˙k∑Z˙,Iˉk=Iˉ Y˙k∑Y˙(due rami: Iˉ1=IˉZ˙2Z˙1+Z˙2)\bar V_k = \bar V\, \frac{\dot Z_k}{\sum \dot Z}, \qquad \bar I_k = \bar I\, \frac{\dot Y_k}{\sum \dot Y} \quad \left(\text{due rami: } \bar I_1 = \bar I \frac{\dot Z_2}{\dot Z_1 + \dot Z_2}\right)

Esempio. Con Vˉ=100 V\bar V = 100\ \mathrm V su Z˙1=3 Ω\dot Z_1 = 3\ \Omega in serie a Z˙2=4j Ω\dot Z_2 = 4j\ \Omega: Vˉ1=100 33+4j=36−48j V\bar V_1 = 100\,\frac{3}{3 + 4j} = 36 - 48j\ \mathrm V (modulo 60 V60\ \mathrm V) e Vˉ2=100 4j3+4j=64+48j V\bar V_2 = 100\,\frac{4j}{3 + 4j} = 64 + 48j\ \mathrm V (modulo 80 V80\ \mathrm V).

Proprietà (sintesi serie e sintesi parallelo di un'impedenza). Ogni impedenza Z˙=R+jX\dot Z = R + jX a una pulsazione ω\omega fissata si può realizzare con due soli bipoli:

  • sintesi serie: un resistore Rs=RR_s = R in serie a un induttore Ls=X/ωL_s = X/\omega (se X>0X > 0) o a un condensatore Cs=−1ωXC_s = -\frac{1}{\omega X} (se X<0X < 0);
  • sintesi parallelo: con Y˙=1/Z˙=G+jB\dot Y = 1/\dot Z = G + jB, un resistore Rp=1/GR_p = 1/G in parallelo a un condensatore Cp=B/ωC_p = B/\omega (se B>0B > 0) o a un induttore Lp=−1ωBL_p = -\frac{1}{\omega B} (se B<0B < 0).

Esempio. Z˙=15−j25 Ω\dot Z = 15 - j25\ \Omega a ω=1000 rad/s\omega = 1000\ \mathrm{rad/s}. Serie: Rs=15 ΩR_s = 15\ \Omega e Cs=11000⋅25=40 μFC_s = \frac{1}{1000 \cdot 25} = 40\ \mu\mathrm F. Parallelo: Y˙=15+j25152+252=15+j25850\dot Y = \frac{15 + j25}{15^2 + 25^2} = \frac{15 + j25}{850}, quindi Rp=850/15=56,7 ΩR_p = 850/15 = 56{,}7\ \Omega e Cp=25/8501000=29,4 μFC_p = \frac{25/850}{1000} = 29{,}4\ \mu\mathrm F.

Teorema di Boucherot (conservazione delle potenze). Per il teorema di Boucherot (vedi Potenza in regime sinusoidaleCon v e i sinusoidali la potenza istantanea p(t) = VI cos φ + VI cos(2ωt + φv + φi) oscilla a pulsazione 2ω. La sua media è la potenza attiva P = VI cos φ (watt). La potenza complessa Ṡ = V̄ Ī* = P + jQ ha per parte immaginaria la potenza reattiva Q = VI sin φ (VAR) e per modulo la potenza apparente S = VI (VA). cos φ = P/S è il fattore di potenza. Con un'impedenza: P = R I², Q = X I²; Q_L = ωL I² > 0, Q_C = -ωC V² < 0. In una rete si conservano la potenza complessa, attiva e reattiva (teorema di Boucherot).Potenza in regime sinusoidale →) la somma delle potenze complesse entranti in tutti i bipoli è nulla. È il controllo finale più utile negli esercizi:

∑Pgeneratori, erogate=∑RkIk2,∑Qgeneratori, erogate=∑XkIk2\sum P_{\text{generatori, erogate}} = \sum R_k I_k^2, \qquad \sum Q_{\text{generatori, erogate}} = \sum X_k I_k^2

Esempio. Un generatore che alimenta R=15 ΩR = 15\ \Omega e XL=20 ΩX_L = 20\ \Omega in serie con I=2 AI = 2\ \mathrm A eroga P=15⋅4=60 WP = 15 \cdot 4 = 60\ \mathrm W e Q=20⋅4=80 VARQ = 20 \cdot 4 = 80\ \mathrm{VAR}, quanto assorbono resistore e induttore.

Risonanza serie e parallelo

Formula (pulsazione di risonanza dell'RLC serie). ω0L−1ω0C=0⟹  ω0=1LC  ,f0=ω02π\omega_0 L - \frac{1}{\omega_0 C} = 0 \quad\Longrightarrow\quad \boxed{\;\omega_0 = \frac{1}{\sqrt{LC}}\;}, \qquad f_0 = \frac{\omega_0}{2\pi}

Esempio. Con L=10 mHL = 10\ \mathrm{mH} e C=100 μFC = 100\ \mu\mathrm F: ω0=1/LC=1/10−6=1000 rad/s\omega_0 = 1/\sqrt{LC} = 1/\sqrt{10^{-6}} = 1000\ \mathrm{rad/s}, cioè f0≈159 Hzf_0 \approx 159\ \mathrm{Hz}.

Grafico interattivo: RLC serie: modulo dell'impedenza Z/R in funzione di ω/ω0 (scala logaritmica). Ha il minimo Z = R in ω0, tanto più stretto quanto più alto è Q

Definizione (fattore di qualità dell'RLC serie). Fattore di qualità.

Q=2π energia immagazzinataenergia dissipata in un periodo=ω0LR=1ω0RCQ = 2\pi\, \frac{\text{energia immagazzinata}}{\text{energia dissipata in un periodo}} = \frac{\omega_0 L}{R} = \frac{1}{\omega_0 R C}

e coincide con il rapporto tra la tensione su LL (o su CC) e quella applicata:

VLV=VCV=ω0L IR I=Q\frac{V_L}{V} = \frac{V_C}{V} = \frac{\omega_0 L\, I}{R\, I} = Q

Esempio. R=1 ΩR = 1\ \Omega, L=10 mHL = 10\ \mathrm{mH}, C=100 μFC = 100\ \mu\mathrm F: ω0=1/10−6=1000 rad/s\omega_0 = 1/\sqrt{10^{-6}} = 1000\ \mathrm{rad/s} (f0≈159 Hzf_0 \approx 159\ \mathrm{Hz}), Q=1000⋅0,011=10Q = \frac{1000 \cdot 0{,}01}{1} = 10. Alimentato con 1 V1\ \mathrm V a ω0\omega_0: corrente 1 A1\ \mathrm A e 10 V10\ \mathrm V su induttore e condensatore.

Definizione (funzione di trasferimento del filtro passa banda serie). Si prende come uscita la tensione sul resistore. La funzione di trasferimento (rapporto tra fasore dell'uscita e fasore dell'ingresso) è

H˙(ω)=VˉREˉ=RZ˙=11+jQ(ωω0−ω0ω)\dot H(\omega) = \frac{\bar V_R}{\bar E} = \frac{R}{\dot Z} = \frac{1}{1 + jQ\left(\dfrac{\omega}{\omega_0} - \dfrac{\omega_0}{\omega}\right)}

Esempio. Con Q=10Q = 10 a ω=1,1 ω0\omega = 1{,}1\,\omega_0: ∣H˙∣=11+100 (1,1−1/1,1)2≈0,46|\dot H| = \frac{1}{\sqrt{1 + 100\,(1{,}1 - 1/1{,}1)^2}} \approx 0{,}46.

Grafico interattivo: |H| in funzione di ω/ω0 con Q = 10 (filtro stretto)

Formula (pulsazioni di taglio e larghezza di banda). Pulsazioni di taglio ω1<ω0<ω2\omega_1 < \omega_0 < \omega_2: quelle in cui ∣H˙∣=1/2|\dot H| = 1/\sqrt2 (la potenza in uscita si dimezza). Imponendo Q(ωω0−ω0ω)=±1Q\left(\frac{\omega}{\omega_0} - \frac{\omega_0}{\omega}\right) = \pm 1 e prendendo le soluzioni positive:

ω1,2=ω0(∓12Q+1+14Q2),B=ω2−ω1=ω0Q\omega_{1,2} = \omega_0\left(\mp\frac{1}{2Q} + \sqrt{1 + \frac{1}{4Q^2}}\right), \qquad \boxed{B = \omega_2 - \omega_1 = \frac{\omega_0}{Q}}

Esempio. Con ω0=1000 rad/s\omega_0 = 1000\ \mathrm{rad/s} e Q=10Q = 10: B=ω0/Q=100 rad/sB = \omega_0/Q = 100\ \mathrm{rad/s}, con ω1≈951 rad/s\omega_1 \approx 951\ \mathrm{rad/s} e ω2≈1051 rad/s\omega_2 \approx 1051\ \mathrm{rad/s}.

Formula (fattore di qualità dell'RLC parallelo). Alla risonanza IˉL+IˉC=0\bar I_L + \bar I_C = 0: una corrente circola tra induttore e condensatore senza uscire dal parallelo. Il fattore di qualità è

Q=ω0CG=ω0RC=Rω0L,ILI=ICI=QQ = \frac{\omega_0 C}{G} = \omega_0 R C = \frac{R}{\omega_0 L}, \qquad \frac{I_L}{I} = \frac{I_C}{I} = Q

Esempio. Con R=1 kΩR = 1\ \mathrm{k\Omega}, C=10 μFC = 10\ \mu\mathrm F e L=0,1 HL = 0{,}1\ \mathrm H: ω0=1000 rad/s\omega_0 = 1000\ \mathrm{rad/s} e Q=ω0RC=10Q = \omega_0 R C = 10; con un GIC da 1 mA1\ \mathrm{mA} a ω0\omega_0 le correnti in LL e CC sono 10 mA10\ \mathrm{mA}.

Rifasamento e massimo trasferimento di potenza attiva

Formula (potenza reattiva e corrente di un carico ohmico-induttivo). S˙=P+jQ,Q=Ptan⁡φ>0,I=PVcos⁡φ\dot S = P + jQ, \qquad Q = P\tan\varphi > 0, \qquad I = \frac{P}{V\cos\varphi}

Esempio. Con P=10 kWP = 10\ \mathrm{kW} e cos⁡φ=0,6\cos\varphi = 0{,}6 (tan⁡φ=1,333\tan\varphi = 1{,}333): Q=Ptan⁡φ=13,3 kVARQ = P\tan\varphi = 13{,}3\ \mathrm{kVAR} e, a 230 V230\ \mathrm V, I=10 000230⋅0,6≈72,5 AI = \frac{10\,000}{230 \cdot 0{,}6} \approx 72{,}5\ \mathrm A.

Formula (capacità di rifasamento). Si vuole passare dal fattore di potenza cos⁡φ\cos\varphi a cos⁡φ′\cos\varphi' (con 0≤φ′<φ0 \le \varphi' < \varphi):

Ptan⁡φ′=Q′=Q+QC=Ptan⁡φ−ωCV2P\tan\varphi' = Q' = Q + Q_C = P\tan\varphi - \omega C V^2

  C=P (tan⁡φ−tan⁡φ′)ωV2  \boxed{\;C = \frac{P\,(\tan\varphi - \tan\varphi')}{\omega V^2}\;}

Esempio. Con P=10 kWP = 10\ \mathrm{kW}, V=230 VV = 230\ \mathrm V, ω=314,2 rad/s\omega = 314{,}2\ \mathrm{rad/s}, tan⁡φ=1,333\tan\varphi = 1{,}333 (cos⁡φ=0,6\cos\varphi = 0{,}6) e tan⁡φ′=0,329\tan\varphi' = 0{,}329 (cos⁡φ′=0,95\cos\varphi' = 0{,}95): C=104 (1,333−0,329)314,2⋅2302≈605 μFC = \frac{10^4\,(1{,}333 - 0{,}329)}{314{,}2 \cdot 230^2} \approx 605\ \mu\mathrm F.

Formula (corrente di linea dopo il rifasamento). Corrente di linea dopo il rifasamento. PP è costante, quindi VIcos⁡φ=VI′cos⁡φ′V I \cos\varphi = V I' \cos\varphi':

I′=I cos⁡φcos⁡φ′I' = I\, \frac{\cos\varphi}{\cos\varphi'}

Esempio. Con I=72,5 AI = 72{,}5\ \mathrm A, cos⁡φ=0,6\cos\varphi = 0{,}6 e cos⁡φ′=0,95\cos\varphi' = 0{,}95: I′=72,5⋅0,60,95≈45,8 AI' = 72{,}5 \cdot \frac{0{,}6}{0{,}95} \approx 45{,}8\ \mathrm A.

Teorema del massimo trasferimento di potenza attiva (adattamento coniugato).   Z˙=Req−jXeq=Z˙eq∗  ⟹  Pmax=Eeq24Req  \boxed{\;\dot Z = R_{eq} - jX_{eq} = \dot Z_{eq}^*\;} \qquad\Longrightarrow\qquad \boxed{\;P_{max} = \frac{E_{eq}^2}{4 R_{eq}}\;}

Il carico deve avere l'impedenza coniugata di quella interna: si parla di adattamento coniugato. Come in continua, il rendimento è del 50%50\%: metà della potenza attiva viene dissipata in ReqR_{eq}.

Esempio. Un equivalente con Eˉeq=j100 V\bar E_{eq} = j100\ \mathrm V e Z˙eq=15+j25 Ω\dot Z_{eq} = 15 + j25\ \Omega (quello dell'Esercizio 3.20 - Thévenin e voltmetro in regime sinusoidale): il carico adattato è 15−j25 Ω15 - j25\ \Omega (resistore da 15 Ω15\ \Omega in serie a un condensatore con XC=−25 ΩX_C = -25\ \Omega, cioè C=40 μFC = 40\ \mu\mathrm F a ω=1000 rad/s\omega = 1000\ \mathrm{rad/s}) e riceve Pmax=10024⋅15≈167 WP_{max} = \frac{100^2}{4 \cdot 15} \approx 167\ \mathrm W. Con il solo R1=10 ΩR_1 = 10\ \Omega dell'esercizio si hanno invece 10⋅1002252+252=80 W10 \cdot \frac{100^2}{25^2 + 25^2} = 80\ \mathrm W.